[發明專利]一種硅靶材組件的釬焊方法無效
申請號: | 201210367293.8 | 申請日: | 2012-09-28 |
公開(公告)號: | CN103692041A | 公開(公告)日: | 2014-04-02 |
發明(設計)人: | 姚力軍;相原俊夫;大巖一彥;潘杰;王學澤;宋佳 | 申請(專利權)人: | 寧波江豐電子材料有限公司 |
主分類號: | B23K1/00 | 分類號: | B23K1/00 |
代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 駱蘇華 |
地址: | 315400 浙江省寧波市余姚*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 一種 硅靶材 組件 釬焊 方法 | ||
1.一種硅靶材組件的釬焊方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供硅靶材和背板;
分別在所述硅靶材和背板的焊接面上涂覆一層銦釬料層;
將涂覆有所述銦釬料層的所述硅靶材和背板的焊接面貼合,進行釬焊,將所述硅靶材焊接至所述背板上,形成硅靶材組件;
冷卻所述硅靶材組件。
2.根據權利要求1所述的硅靶材組件的釬焊方法,其特征在于,在所述硅靶材和背板的焊接面上涂覆一層銦釬料層過程中,控制所述硅靶材和背板的溫度于190~250℃之間,充分熔化所述硅靶材和背板的焊接面上放置的銦釬料,從而形成所述銦釬料層。
3.根據權利要求2所述的硅靶材組件的釬焊方法,其特征在于,待所述銦釬料熔化后,以超聲波處理使所述銦釬料均勻的分散于所述硅靶材和背板的焊接面上。
4.根據權利要求3所述的硅靶材組件的釬焊方法,其特征在于,所述超聲波處理的工藝參數為超聲波振蕩器的輸出功率為15KHz至30KHz。
5.根據權利要求1所述的硅靶材組件的釬焊方法,其特征在于,在將涂覆有所述銦釬料層的所述硅靶材和背板的焊接面貼合前,在所述背板或硅靶材的焊接面上放置用于聚集焊接面上熔化后釬料的釬料聚合絲桿,所述硅靶材和背板貼合后,所述釬料聚合絲桿夾于所述硅靶材和背板之間。
6.根據權利要求5所述的硅靶材組件的釬焊方法,其特征在于,所述釬料聚合絲桿直徑為0.2~1.0mm。
7.根據權利要求5所述的硅靶材組件的釬焊方法,其特征在于,所述釬料聚合絲桿采用銅制成。
8.根據權利要求5所述的硅靶材組件的釬焊方法,其特征在于,所述釬料聚合絲桿放置于所述背板的中間部分。
9.根據權利要求5所述的硅靶材組件的釬焊方法,其特征在于,在所述背板或硅靶材的焊接面上放置多根直徑相同的釬料聚合絲桿;所述多根釬料聚合絲桿完全位于所述硅靶材和背板的焊接面范圍內,且互不相交。
10.根據權利要求1所述的硅靶材組件的釬焊方法,其特征在于,在所述硅靶材組件冷卻時,在所述硅靶材與背板之間均勻施加500~900N的壓力,以加強所述硅靶材和背板的連接強度的同時,防止所述硅靶材和背板冷卻過程中發生形變。
11.根據權利要求1所述的硅靶材組件的釬焊方法,其特征在于,在所述硅靶材和背板的焊接面上涂覆銦釬料層以及所述釬焊過程中,控制操作環境的空氣濕度小于等于40%。
12.根據權利要求1~11任一項所述的硅靶材組件的釬焊方法,其特征在于,所述背板為銅背板。
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