[發明專利]一種發光二極管的制造方法有效
| 申請號： | 201210367217.7 | 申請日： | 2012-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN103700734B | 公開（公告）日： | 2017-01-25 |
| 發明（設計）人： | 朱廣敏;郝茂盛;齊勝利;潘堯波;張楠;陳誠;袁根如;李士濤 | 申請（專利權）人： | 上海藍光科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/38;H01L33/46 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 發光二極管 制造 方法 | ||
1.一種發光二極管的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括以下步驟：
1）提供一半導體襯底，于所述半導體襯底表面沉積至少包括N型層、量子阱層及P型層的發光外延結構；
2）刻蝕所述P型層及量子阱層以形成N電極制備區域；
3）于所述P型層表面形成第一透明導電層，并采用光刻工藝刻蝕所述第一透明導電層，以形成多個呈周期排列且貫穿所述透明導電層的開孔；
4）于各該開孔內制作反射鏡；
5）制作P電極及N電極。
2.根據權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：步驟5）中，P電極的制作包括步驟：
5-1）于所述第一透明導電層及各該反射鏡表面制作第二透明導電層；
5-2）于所述第二透明導電層表面制作P電極。
3.根據權利要求2所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述開孔的面積總和為所述P型層面積的40%~60%。
4.根據權利要求1或2所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：各該開孔的周期排列方式為四方陣列排列或六方陣列排列。
5.根據權利要求1或2所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：各該開孔為圓孔，且圓孔的孔徑為nλ/4，其中，n為整數，λ為發光二極管發出光線的波長。
6.根據權利要求1或2所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：各該開孔為正六邊形孔，且所述正六邊形的對角線長度為nλ/4，其中，n為整數，λ為發光二極管發出光線的波長。
7.根據權利要求1或2所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：各該反射鏡的垂直反射率大于70%。
8.根據權利要求1或2所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述反射鏡的材料為Al層、Ag層、Al層-Au層-Ni層疊層、Ag層-Au層-Ni層疊層、Al層-SiO2層疊層或Ag層-SiO2疊層。
9.根據權利要求1或2所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：步驟1）中所述的半導體襯底為藍寶石襯底，所述N型層為N-GaN層，所述量子阱層為InGaN層，所述P型層為P-GaN層。
10.根據權利要求1或2所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述步驟5）以后還包括從下表面減薄所述半導體襯底，并于該半導體襯底下表面制作背鍍反射層的步驟。
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