[發明專利]掩膜板固化方法及掩膜板處理工藝

無效

• 申請號: 201210366881.X
• 申請日: 2012-09-27
• 公開（公告）號: CN103698972A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 顧婷婷
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F1/68
• 分類號: G03F1/68;G03F1/82
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種掩膜板固化方法，其特征在于，對掩膜板進行等離子體工藝處理，以使掩膜板固化。

2.如權利要求1所述的掩膜板固化方法，其特征在于，所述等離子體工藝處理的氣體包括氫氣和氮氣，氫氣和氮氣的體積比為1∶20～1∶100。

3.如權利要求2所述的掩膜板固化方法，其特征在于，所述等離子體工藝處理的處理時間為1200秒～2400秒，氣體流量為3000標況毫升每分～6000標況毫升每分，壓力為150帕～400帕，溫度為100攝氏度～200攝氏度。

4.如權利要求1-3中任意一項所述的掩膜板固化方法，其特征在于，采用灰化機臺對所述掩膜板進行等離子體工藝處理。

5.一種掩膜板處理工藝，包括：

制備具有圖形的掩膜板；

將所述掩膜板進行等離子體工藝處理，使所述掩膜板固化以形成固化掩膜板；以及

將所述固化掩膜板進行濕法清洗。

6.如權利要求5所述的掩膜板處理工藝，其特征在于，所述等離子體工藝處理的氣體包括氫氣和氮氣，氫氣和氮氣的體積比為1∶20～1∶100。

7.如權利要求6所述的掩膜板處理工藝，其特征在于，所述等離子體工藝處理的處理時間為1200秒～2400秒，氣體流量為3000標況毫升每分～6000標況毫升每分，壓力為150帕～400帕，溫度為100攝氏度～200攝氏度。

8.如權利要求5所述的掩膜板固化方法，其特征在于，采用灰化機臺對所述掩膜板進行等離子體工藝處理。

9.如權利要求5所述的掩膜板固化方法，其特征在于，所述濕法清洗的清洗液為硫酸、鹽酸、雙氧水、氨水或碳酸中的一種或幾種的組合。

10.如權利要求5-9中任意一項所述的掩膜板固化方法，其特征在于，將所述掩膜板進行等離子體工藝處理步驟和將所述固化掩膜板進行濕法清洗步驟作為一個循環，重復若干次。