[發明專利]一種高致密、單一四方結構銅鋅錫硫材料的高壓制備方法有效
| 申請號: | 201210366771.3 | 申請日: | 2012-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN103178154A | 公開(公告)日: | 2013-06-26 |
| 發明(設計)人: | 姚斌;丁戰輝;李永峰;李永升 | 申請(專利權)人: | 吉林大學 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 130012 吉林省*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 致密 單一 四方 結構 銅鋅錫硫 材料 高壓 制備 方法 | ||
1.一種單一四方結構的銅鋅錫硫光伏電池吸收層材料的制備方法,其特征在于以硫化亞銅(Cu2S),硫化鋅(ZnS)和二硫化錫(SnS2)三種化合物粉為原始材料,通過在高壓條件下燒結而成。
2.一種單一四方結構的銅鋅錫硫光伏電池吸收層材料的制備方法,其特征在于將硫化亞銅,硫化鋅和二硫化錫粉末按等摩爾數配比混合后,在高壓條件下燒結而成,壓力為3~10GPa,燒結溫度為500~1500℃。
3.一種單一四方結構的銅鋅錫硫光伏電池吸收層材料的高壓制備方法,其特征在于所提供的樣品為具有單一四方結構,化學成分為Cu∶Zn∶Sn∶S=2∶1∶1∶4的銅鋅錫硫材料。
4.按照權利要求1所述的銅鋅錫硫光伏電池吸收層材料的制備方法,其特征在于制備的銅鋅錫硫缺陷少,致密度高,晶粒尺寸為1~10微米。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





