[發明專利]一種硒化霍山石斛培養物的生產方法

有效

• 申請號: 201210366731.9
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN102835317A
• 公開（公告）日: 2012-12-26
• 發明（設計）人: 楊思林
• 申請（專利權）人: 安徽省華信生物藥業股份有限公司
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00
• 代理公司: 合肥金安專利事務所 34114
• 代理人: 金惠貞

技術領域

本發明屬于植物組織培養技術領域，具體涉及一種硒化霍山石斛培養物的生產方法。

背景技術

硒是人體生命活動中必不可少的微量元素之一，具有明顯的延緩衰老、提高機體免疫力、抗癌、抗氧化、抗輻射、抗植物病害等生理功能。我國大部分地區嚴重缺乏硒元素，地球表面大部分是貧硒水土，人類食物中硒含量絕大多數不能滿足人體對硒的需要，因此，開發富硒產品，提高硒攝入量，對于提高人民群眾的健康水平具有重要的意義。

霍山石斛（Dendrobium?huoshanense）是蘭科石斛屬草本植物，具有生津益胃、潤肺止渴、清音明目之功效，被歷代本草推崇為石斛中的上品，亦深受現代人們的青睞。但是，霍山石斛的生長對環境要求近于苛刻，加之過度采集及生境改變，野生霍山石斛資源嚴重枯竭。資源的枯竭已經嚴重制約了霍山石斛醫藥、保健價值的開發利用。

植物組織培養技術是生物技術的重要組成部分，已在優良品種的快速繁殖、種質資源的保存等方面被成功應用。人們采用組織培養方法，通過外植體誘導形成愈傷組織或擬原球莖或叢生芽，獲得了霍山石斛無菌試管苗，栽培后可以獲取石斛再生植株。然而，由于生長環境和生理性狀的特殊性，試管苗從無菌且光照、溫度、濕度穩定的培養容器內移出栽植時，正常光合生理活動難以得到保證，試管苗的生長發育遲緩，病變或死亡率高，因此，在試管苗移栽馴化階段，需要添加激素以增強試管苗的光合自養能力、抗逆能力以及移栽成活率；而且，試管苗移栽大田后，仍離不開噴灑大量農藥以防治病蟲害。為此，田間栽培的霍山石斛資源也非常稀少，只有極少量被移栽在霍山縣長沖藥材場。可見，當前急需解決快速、高效地生產無激素、無農藥殘留的霍山石斛的方法，以可持續利用瀕危霍山石斛，服務人類健康。

愈傷組織實質上是正在生長分化的體細胞胚胎，具有植株相同的物質代謝和形態發育潛能，可用來代替原藥材生產相關的活性物質。公開號為CN1762207A的發明專利采用植物組織培養方法，取鐵皮石斛種子無菌試管苗誘導、原球莖誘導、原球莖馴化，再轉移至培養基上培養苗生長，苗生長培養基中添加萘乙酸、亞硒酸鈉以及其他必需營養素以生產富硒鐵皮石斛。但不同石斛因各自生理特性和生存條件的不同，其培養方法也不相同，霍山石斛本身就是石斛屬植物中最難人工培育種。

發明內容

為了實現低成本、標準化、規模化生產無激素、無農藥殘留的高品質霍山石斛替代物，本發明提供一種硒化霍山石斛培養物的生產方法。愈傷組織水分含量高、組織脆嫩，因此，本發明采用植物組織培養技術、光調控技術協同含有機硒的低鹽培養基，生產硒化霍山石斛培養物；光不僅為植物光合作用提供輻射能，還為植物提供信號調節其發育過程，控制植物的生長發育模式。

本發明的具體操作步驟如下：

一種硒化霍山石斛培養物的生產方法包括利用固體高鹽培養基誘導獲取霍山石斛無菌實生苗，黑暗協同低鹽培養基選育獲取耐硒霍山石斛愈傷組織，藍光輔助低鹽培養基馴化硒化霍山石斛愈傷組織，日光燈光照生產硒化霍山石斛培養物；干燥的硒化霍山石斛培養物中有機硒質量分數不低于50μg/g。

硒化霍山石斛培養物的具體生產操作步驟如下：

（1）霍山石斛無菌實生苗的誘導：取成熟的霍山石斛果實，先用體積分數為70～75?mL/100mL的酒精水溶液漂洗3～5分鐘，再用質量分數為2g/100mL的次氯酸鈉水溶液浸泡20～30分鐘，然后用無菌水沖洗3～5次，最后去除果皮，取出種子，將種子均勻撒在固體高鹽培養基上，在溫度20±2℃、光照強度2000±200勒克斯、每天光照12小時的條件下培養5～6個月，收集4～5cm高的無菌苗，即為霍山石斛無菌實生苗；所述固體高鹽培養基由下列重量或體積的原料組成：蔗糖30000?mg、硝酸鉀950?mg、硝酸銨825?mg、氯化鈣220?mg、硫酸鎂185?mg、磷酸二氫鉀85?mg、硫酸錳8.45?mg、硫酸鋅4.3?mg、硼酸3.1?mg、碘化鉀0.415?mg、鉬酸鈉0.125?mg、硫酸銅0.0125?mg、氯化鈷0.0125?mg、乙二胺四乙酸二鈉18.625?mg、硫酸亞鐵13.925?mg、肌醇50?mg、甘氨酸1?mg、鹽酸吡哆醇0.25?mg、煙酸0.25?mg、鹽酸硫胺素0.05?mg、瓊脂5000～6000?mg、水1?L，pH值5.8；

（2）耐硒霍山石斛愈傷組織的選育：取長0.5～1.0厘米的霍山石斛無菌實生苗的帶節莖段，插入第一固體低鹽培養基中，在溫度20±2℃、黑暗環境中培養30～35天，得到耐硒霍山石斛愈傷組織；