[發明專利]防靜電膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201210366031.X
• 申請日: 2012-09-27
• 公開（公告）號: CN102848655A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 鄭芳平;張迅
• 申請（專利權）人: 江西沃格光電科技有限公司
• 主分類號: B32B17/06
• 分類號: B32B17/06;C03C17/34
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

技術領域

本發明涉及薄膜場效應晶體管領域，尤其涉及一種防靜電膜及其制備方法。?

背景技術

傳統的大部分TFT（薄膜場效應晶體管）鍍膜產品所鍍的防靜電膜為SiO₂+ITO膜層。該鍍膜產品，在550nm處透過率約為90%，鍍膜前后透過率的比值為97%左右，視覺效果較差，大部分TFT鍍膜廠家都可以做到這種質量的觸摸屏產品。由于技術指標較低，薄膜透射率較低，在日益激烈的觸摸屏行業競爭處于越來越不利的地位，隨著人們對視覺品質的不斷追求，有必要生產出具有更高透射率的觸摸屏產品。?

發明內容

基于此，有必要提供一種透射率較高的防靜電膜及其制備方法。?

一種防靜電膜，包括玻璃基底、置于所述玻璃基底上的第一Nb₂O₅層、置于所述第一Nb₂O₅層上的第一SiO₂層、置于所述第一SiO₂層上的第二Nb₂O₅層、置于所述第二Nb₂O₅層上的第二SiO₂層及置于所述第二SiO₂層上的ITO層。?

在其中一個實施例中，所述第一Nb₂O₅層的厚度為14~16nm，所述第二Nb₂O₅層的厚度為123~127nm。?

在其中一個實施例中，所述第一SiO₂層的厚度為32~35nm，所述第二SiO₂層的厚度為59~62nm。?

在其中一個實施例中，所述ITO層的厚度為12~16nm。?

一種防靜電膜的制備方法，包括如下步驟：?

使用Nb靶進行磁控濺射鍍膜，在玻璃基底上鍍制第一Nb₂O₅層；?

使用Si靶進行磁控濺射鍍膜，在所述第一Nb₂O₅層上鍍制第一SiO₂層；?

使用Nb靶進行磁控濺射鍍膜，在所述第一SiO₂層上鍍制第二Nb₂O₅層；?

使用Si靶進行磁控濺射鍍膜，在所述第二Nb₂O₅層上鍍制第二SiO₂層；?

使用ITO靶材進行磁控濺射鍍膜，在所述第二SiO₂層上鍍制ITO層，得到所述防靜電膜。?

在其中一個實施例中，所述使用Nb靶進行磁控濺射鍍膜，在玻璃基底上鍍制第一Nb₂O₅層的過程中，磁控濺射頻率為40KHz。?

在其中一個實施例中，所述使用Si靶進行磁控濺射鍍膜，在所述第一Nb₂O₅層上鍍制第一SiO₂層的過程中，磁控濺射頻率為40KHz。?

在其中一個實施例中，所述使用Nb靶進行磁控濺射鍍膜，在第一SiO₂層上鍍制第二Nb₂O₅層的過程中，磁控濺射頻率為40KHz。?

在其中一個實施例中，所述使用Si靶進行磁控濺射鍍膜，在所述第二Nb₂O₅層上鍍制第二SiO₂層的過程中，磁控濺射頻率為40KHz。?

在其中一個實施例中，所述使用ITO靶材進行磁控濺射鍍膜過程中，磁控濺射頻率為40KHz。?

上述防靜電膜的制備方法利用先進的光學薄膜技術，經過精心仔細的光學膜系設計，利用光的衍射原理，結合材料的折射率關系，采用AR（anti-reglection，減反射）配合ITO技術，將TFT鍍膜玻璃在550nm處的折射率提高到93.5％，玻璃的鍍膜前后透過率的比值由97%提高到102.5%，極大地提高了TFT鍍膜玻璃的光學性能。?

附圖說明

圖1為一實施方式的防靜電膜的結構示意圖；?

圖2為圖1中防靜電膜與傳統TFT玻璃透射率的對比圖。?

具體實施方式

下面主要結合附圖及具體實施方式對防靜電膜及其制備方法和應用作進一步詳細的說明。?