[發明專利]制作具有局部互連金屬電極的MIM 電容器的方法及相關結構有效
| 申請號： | 201210365768.X | 申請日： | 2012-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN103035484A | 公開（公告）日： | 2013-04-10 |
| 發明（設計）人： | 陳向東;陳國順;夏維;沈志杰 | 申請（專利權）人： | 美國博通公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人： | 田喜慶 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制作 具有 局部 互連 金屬電極 mim 電容器 方法 相關 結構 | ||
1.一種在半導體芯片中制作金屬-絕緣體-金屬（MIM）電容器的方法，所述方法包括：
在位于所述半導體芯片的第一金屬化層下的器件層之上形成底部電容器電極；
在所述底部電容器電極之上形成的層間阻擋電介質之上形成頂部電容器電極；
所述頂部電容器電極由用于連接形成在所述器件層中的器件的局部互連金屬形成。
2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述底部電容器電極由形成在所述器件層之上的柵極金屬層形成。
3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述局部互連金屬被用于連接形成在所述器件層中的所述器件的源極/漏極接觸。
4.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述底部電容器電極包括在形成于所述器件層中的隔離區之上形成所述底部電容器電極。
5.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述第一金屬化層中、所述頂部電容器電極之上形成金屬板，所述金屬板被連接至所述底部電容器電極以提供增大的電容密度。
6.一種半導體芯片中的金屬-絕緣體-金屬（MIM）電容器，所述MIM電容器包括：
底部電容器電極，在位于所述半導體芯片的第一金屬化層下的器件層之上；
頂部電容器電極，在形成于所述底部電容器電極之上的層間阻擋電介質之上；
所述頂部電容器電極包括用于連接形成在所述器件層中的器件的局部互連金屬。
7.根據權利要求6所述的MIM電容器，其中，所述底部電容器電極由形成在所述器件層之上的柵極金屬層形成。
8.根據權利要求6所述的MIM電容器，其中，所述局部互連金屬用于連接形成于所述器件層中的所述器件的源極/漏極接觸。
9.根據權利要求6所述的MIM電容器，其中，所述底部電容器電極形成在所述器件層中形成的隔離區之上。
10.根據權利要求6所述的MIM電容器，還包括形成在所述第一金屬化層中、所述頂部電容器電極之上的金屬板，所述金屬板被連接至所述底部電容器電極以提供增大的電容密度。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
