[發明專利]一種P型縱向高耐壓的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管

無效

• 申請號: 201210365606.6
• 申請日: 2012-09-27
• 公開（公告）號: CN102867844A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發明（設計）人: 祝靖;林吉勇;陳輝;錢欽松;孫偉鋒;陸生禮;時龍興
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 黃明哲;朱芳雄

1.一種P型縱向高耐壓的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，包括：P型硅襯底(1)，在P型硅襯底(1)上設有N型外延層(14)，在N型外延層(14)上設有P-漂移區(2)及N型體區(3)，且N型外延層(14)的上表面為P-漂移區(2)及N型體區(3)覆蓋，在N型體區(3)上方設有P型源區(4)、N型體接觸區(5)及柵氧化層(8)，在P-漂移區(2)上方設有P型緩沖層(13)，在P型緩沖層(13)上方設有P型漏區(12)，在柵氧化層(8)上方設有多晶硅柵(9)，在P型源區(4)、N型體接觸區(5)、多晶硅柵(9)、P-漂移區(2)、P型漏區(12)上方設有場氧化層(6)，在P型源區(4)及N型體接觸區(5)上接有穿通場氧化層(6)的第一金屬引線(7)，多晶硅柵(9)接有穿通場氧化層(6)的第二金屬引線(10)，P型漏區接有穿通場氧化層(6)的第三金屬引線(11)，其特征在于，在N型外延層(14)上設有超結結構，超結結構由連接漏區及N型外延層(14)方向相間分布的P型區(15)和N型區(16)構成。

2.根據權利要求1所述的P型縱向高耐壓的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于，超結結構寬度要比P型漏區(12)大。