[發(fā)明專利]一種P型縱向高耐壓的橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210365606.6 | 申請(qǐng)日： | 2012-09-27 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102867844A | 公開（公告）日： | 2013-01-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 祝靖;林吉勇;陳輝;錢欽松;孫偉鋒;陸生禮;時(shí)龍興 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 東南大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01L29/06 | 分類號(hào)： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京天翼專利代理有限責(zé)任公司 32112 | 代理人： | 黃明哲;朱芳雄 |
| 地址： | 214135 江*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 縱向 耐壓 橫向 擴(kuò)散 金屬 氧化物 半導(dǎo)體 晶體管 | ||
1.一種P型縱向高耐壓的橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，包括：P型硅襯底(1)，在P型硅襯底(1)上設(shè)有N型外延層(14)，在N型外延層(14)上設(shè)有P-漂移區(qū)(2)及N型體區(qū)(3)，且N型外延層(14)的上表面為P-漂移區(qū)(2)及N型體區(qū)(3)覆蓋，在N型體區(qū)(3)上方設(shè)有P型源區(qū)(4)、N型體接觸區(qū)(5)及柵氧化層(8)，在P-漂移區(qū)(2)上方設(shè)有P型緩沖層(13)，在P型緩沖層(13)上方設(shè)有P型漏區(qū)(12)，在柵氧化層(8)上方設(shè)有多晶硅柵(9)，在P型源區(qū)(4)、N型體接觸區(qū)(5)、多晶硅柵(9)、P-漂移區(qū)(2)、P型漏區(qū)(12)上方設(shè)有場(chǎng)氧化層(6)，在P型源區(qū)(4)及N型體接觸區(qū)(5)上接有穿通場(chǎng)氧化層(6)的第一金屬引線(7)，多晶硅柵(9)接有穿通場(chǎng)氧化層(6)的第二金屬引線(10)，P型漏區(qū)接有穿通場(chǎng)氧化層(6)的第三金屬引線(11)，其特征在于，在N型外延層(14)上設(shè)有超結(jié)結(jié)構(gòu)，超結(jié)結(jié)構(gòu)由連接漏區(qū)及N型外延層(14)方向相間分布的P型區(qū)(15)和N型區(qū)(16)構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的P型縱向高耐壓的橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，其特征在于，超結(jié)結(jié)構(gòu)寬度要比P型漏區(qū)(12)大。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
