[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201210365308.7
• 申請日: 2012-09-27
• 公開（公告）號: CN103077945A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發明（設計）人: 大竹誠治;武田安弘;宮本優太
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L27/02;H01L29/73
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 胡金瓏

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

第2導電型的外延層，在第1導電型的半導體襯底上堆積；

第2導電型的第1嵌入層，在與所述半導體襯底和所述外延層之間形成；

第1導電型的第2嵌入層，與所述第1嵌入層的周邊區域連接且從所述半導體襯底內向所述外延層內延伸；

第1導電型的第3嵌入層，與所述第1嵌入層的中心區域連接，并且跨越所述第1嵌入層從所述半導體襯底內向所述外延層內延伸；

第1導電型的第1引出層以及第2引出層，從所述外延層的表面向所述外延層內延伸并且分別與所述第2嵌入層以及所述第3嵌入層成為一體；

第1導電型的第1擴散層，從由所述第2嵌入層、所述第1引出層和所述第1嵌入層包圍的所述外延層的表面向其內部延伸，并且與所述第2引出層連接；

第2導電型的第2擴散層，與所述第1擴散層連接并且圍繞該第1擴散層而形成；以及

與所述第1擴散層以及所述第2擴散層連接的陰極電極和與所述第1引出層連接的陽極電極，

所述半導體裝置具有：

ESD保護元件，通過由所述第1嵌入層和所述第2嵌入層形成的PN結二極管、由所述第3嵌入層和所述外延層和所述第2嵌入層形成的寄生雙極型晶體管所構成。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述寄生雙極型晶體管中，所述第3嵌入層成為發射極，所述外延層成為基極，所述第2嵌入層成為集電極。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述PN結二極管中，所述第1嵌入層的雜質濃度至少在與所述第2嵌入層相鄰的區域中高于所述外延層的雜質濃度且低于所述第2嵌入層的雜質濃度。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述陰極電極與電源線連接，所述陽極電極與接地線連接。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第1嵌入層的雜質濃度在決定所述PN結二極管的耐壓的所述第2嵌入層近旁以外的區域中，與該嵌入層近旁相比為高濃度。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述ESD保護元件以棋盤形狀并列地形成了多個。