[發(fā)明專利]用于高容量電子束光刻的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210365270.3
• 申請日: 2012-09-26
• 公開（公告）號: CN103488042A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王宏鈞;林子欽;林家吉;鄭年富;陳政宏;黃文俊;劉如淦
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36;G03F7/20
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種圖案化襯底的方法，所述方法包括：

接收包括具有多邊形和禁止圖案的圖案層的集成電路(IC)設(shè)計布局?jǐn)?shù)據(jù)；

使用電子鄰近校正(EPC)技術(shù)修改所述多邊形和所述禁止圖案；

將修改的多邊形條紋化為子區(qū)，其中，條紋化所述修改的多邊形包括：

將修改的禁止圖案用作參考層，和

通過避免縫合所述修改的禁止圖案來縫合所述修改的多邊形；

將條紋化的多邊形轉(zhuǎn)換為電子束寫入格式數(shù)據(jù)；以及

通過電子束寫入裝置將電子束寫入格式的多邊形寫到襯底上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，通過所述EPC修改所述多邊形和所述禁止圖案包括在水平方向、垂直方向或者兩個方向上向/從所述多邊形和所述禁止圖案添加/減去偏移量。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述偏移量為大約0nm到1000nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，條紋化所述修改的多邊形包括：通過所述修改的多邊形和所述修改的禁止圖案來形成OR層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，進一步包括：縫合所述修改的多邊形以及避免縫合所述OR層的所述禁止圖案。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，條紋化所述修改的多邊形包括：通過所述修改的多邊形和所述修改的禁止圖案形成NOT層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，進一步包括：通過避免縫合所述NOT層的所述禁止圖案來縫合所述修改的多邊形。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，條紋化所述修改的多邊形包括：通過檢查所述禁止圖案來沿著條紋化邊界線設(shè)置縫合線。

9.一種圖案化襯底的方法，所述方法包括：

接收包括具有多邊形和禁止圖案的圖案層的集成電路(IC)設(shè)計布局?jǐn)?shù)據(jù)；

使用電子鄰近校正(EPC)技術(shù)修改所述多邊形和所述禁止圖案；

將修改的多邊形條紋化為子區(qū)，其中，條紋化所述修改的多邊形包括：

找到所述禁止圖案作為參考層，

利用所述參考層形成OR層或NOT層，和

通過避免縫合所述OR層或所述NOT層的所述禁止圖案來縫合所述修改的多邊形；

將條紋化的多邊形轉(zhuǎn)換為電子束寫入格式數(shù)據(jù)；以及

通過電子束寫入裝置將電子束寫入格式的多邊形寫在襯底上。

10.一種圖案化襯底的方法，所述方法包括：

接收包括具有多邊形和禁止圖案的圖案層的集成電路(IC)設(shè)計布局?jǐn)?shù)據(jù)；

使用電子鄰近校正(EPC)技術(shù)修改所述多邊形和所述禁止圖案；

將修改的多邊形條紋化為子區(qū)，其中，條紋化所述修改的多邊形包括：

找到所述禁止圖案作為參考層，和

通過避免縫合所述參考層的所述禁止圖案來縫合所述修改的多邊形，其中，避免縫合所述參考層的所述禁止圖案包括移動縫合線遠(yuǎn)離條紋化邊界線；

將條紋化的多邊形轉(zhuǎn)換為電子束寫入格式數(shù)據(jù)；以及

通過電子束寫入裝置將電子束寫入格式的多邊形寫在襯底上。