[發(fā)明專利]晶體管的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210365223.9
• 申請日: 2012-09-26
• 公開（公告）號: CN103681282A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 韓秋華;李鳳蓮
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種晶體管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底；

在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成柵介質(zhì)層、位于柵介質(zhì)層上的偽柵極，在柵介質(zhì)層、偽柵極周圍的半導(dǎo)體襯底上形成有側(cè)墻，其中，所述偽柵極包括位于柵介質(zhì)層上的多晶硅層、位于多晶硅層上的擴散阻擋層，所述擴散阻擋層用于阻擋后續(xù)離子注入的離子向多晶硅層擴散；

以所述擴散阻擋層和側(cè)墻為掩模，對所述半導(dǎo)體襯底進行離子注入，形成源區(qū)、漏區(qū)；

形成所述源區(qū)、漏區(qū)后，在所述半導(dǎo)體襯底上形成層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層與所述擴散阻擋層持平；

形成層間介質(zhì)層后，去除所述偽柵極，形成溝槽；

在所述溝槽中填充導(dǎo)電材料，形成柵極。

2.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述擴散阻擋層包括無定型硅層。

3.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述擴散阻擋層包括位于所述多晶硅層上的第一氮化鈦層、位于所述第一氮化鈦層上的無定型硅層。

4.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述導(dǎo)電材料為金屬。

5.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述多晶硅層的厚度是所述偽柵極厚度的70%～90%，所述無定型硅層的厚度是所述偽柵極厚度的10%～30%。

6.如權(quán)利要求2或3所述的晶體管的形成方法，其特征在于，去除所述偽柵極包括：使用干法刻蝕去除所述無定型硅層。

7.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，去除所述偽柵極包括：使用濕法刻蝕去除所述多晶硅層。

8.如權(quán)利要求7所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述濕法刻蝕使用四甲基氫氧化銨溶液或氫氧化鉀溶液。

9.如權(quán)利要求3所述的晶體管的形成方法，其特征在于，去除所述偽柵極包括：使用濕法刻蝕去除所述第一氮化鈦層。

10.如權(quán)利要求9所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述濕法刻蝕使用的溶液為NH₄OH、H₂O₂和H₂O的混合溶液。

11.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述離子注入的離子為P型離子或N型離子。

12.如權(quán)利要求11所述的晶體管的形成方法，其特征在于，P型離子為硼離子，N型離子為磷離子。

13.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述柵介質(zhì)層包括位于半導(dǎo)體襯底上的高K介質(zhì)層、位于高K介質(zhì)層上的第二氮化鈦層。

14.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，形成偽柵極的方法包括：

在所述柵介質(zhì)層和半導(dǎo)體襯底上形成多晶硅層；

在所述多晶硅層上形成擴散阻擋層；

刻蝕所述多晶硅層和擴散阻擋層形成偽柵極。