[發明專利]光罩的清洗方法及拆除光罩保護薄膜組件的方法

在審

• 申請號: 201210365188.0
• 申請日: 2012-09-26
• 公開（公告）號: CN103676469A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 張士健;林益世;胡華勇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F1/82
• 分類號: G03F1/82;G03F1/62
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種拆除光罩保護薄膜組件后的光罩的清洗方法，其特征在于，包括：對光罩進行第一清洗，所述第一清洗采用的第一清洗劑為超臨界流體。

2.根據權利要求1所述的光罩的清洗方法，其特征在于，所述超臨界流體為超臨界二氧化碳。

3.根據權利要求1所述的光罩的清洗方法，其特征在于，所述第一清洗劑的質量百分比濃度至少為99％。

4.根據權利要求1所述的光罩的清洗方法，其特征在于，所述第一清洗在密封條件下進行，所述密封條件的溫度為30.26℃～32.26℃，所述密封條件的壓強為71.9atm～73.9atm。

5.根據權利要求1所述的光罩的清洗方法，其特征在于，還包括：

第一清洗后，對光罩進行第二清洗，所述第二清洗采用的第二清洗劑為去離子水；

第二清洗后，對光罩進行第三清洗，所述第三清洗采用的第三清洗劑為氨水和雙氧水的混合溶液；

第三清洗后，對光罩進行第四清洗，所述第四清洗采用的第四清洗劑為去離子水；

第四清洗后，干燥所述光罩。

6.根據權利要求5所述的光罩的清洗方法，其特征在于，所述第三清洗劑中氨水和雙氧水的體積比為2～8∶1。

7.根據權利要求6所述的光罩的清洗方法，其特征在于，所述第三清洗的溫度為80℃～100℃。

8.根據權利要求5所述的光罩的清洗方法，其特征在于，所述第三清洗還包括超聲波輔助清洗，所述超聲波的頻率范圍是30MHz～50MHz。

9.根據權利要求5所述的光罩的清洗方法，其特征在于，采用醇溶液對光罩進行干燥處理。

10.根據權利要求9所述的光罩的清洗方法，其特征在于，所述醇溶液為異丙醇溶液，所述異丙醇的濃度為100％。

11.根據權利要求5所述的光罩的清洗方法，其特征在于，第二清洗后，第三清洗前，還包括對光罩進行硫酸雙氧水清洗，所述硫酸雙氧水清洗采用的硫酸雙氧水清洗劑為硫酸和雙氧水的混合溶液。

12.根據權利要求11所述的光罩的清洗方法，其特征在于，所述硫酸雙氧水清洗劑中硫酸和雙氧水的體積比為5～20∶1。

13.根據權利要求12所述的光罩的清洗方法，其特征在于，所述硫酸雙氧水清洗的溫度為80℃～120℃。

14.根據權利要求1所述的光罩的清洗方法，其特征在于，拆除光罩保護薄膜組件的光罩上殘留有丙烯酸粘著劑、聚苯乙烯-聚乙烯-聚丁烯-聚苯乙烯系粘著劑或硅氧系粘著劑中的一種或它們中的任意組合。

15.一種拆除光罩保護薄膜組件的方法，包括：

將具有光罩保護薄膜組件的光罩放入裝有超臨界流體的密封裝置中進行第一清洗。

16.根據權利要求15所述的拆除光罩保護薄膜組件的方法，其特征在于，所述超臨界流體為超臨界二氧化碳。

17.根據權利要求16所述的拆除光罩保護薄膜組件的方法，其特征在于，所述超臨界二氧化碳的質量百分比濃度至少為99％。

18.根據權利要求15所述的光罩保護薄膜組件的拆除方法，其特征在于，所述第一清洗在密封條件下進行，所述密封條件的溫度為30.26℃～32.26℃，所述密封條件的壓強為71.9atm～73.9atm。