[發(fā)明專利]雙重圖形化膜層的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210365182.3
• 申請日: 2012-09-26
• 公開（公告）號: CN103681281A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孟曉瑩;何其旸;韓秋華;張海洋
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/027
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種雙重圖形化膜層的方法，雙重圖形化膜層后形成的圖形呈長條狀結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上形成有膜層；

在所述膜層上形成具有第一圖形的第一掩膜層，所述第一圖形在長度方向定義出待形成的相鄰兩個長條狀結(jié)構(gòu)之間的距離；

形成填充層，填充所述第一圖形之間的空隙，所述填充層為有機(jī)材料；

在所述填充層上形成具有第二圖形的第二掩膜層，所述第二圖形在垂直長度方向定義出待形成的兩個長條狀結(jié)構(gòu)之間的距離；

以所述第一掩膜層和第二掩膜層為掩膜刻蝕所述膜層形成長條狀結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的雙重圖形化膜層的方法，其特征在于，所述膜層為多晶硅層，所述長條狀結(jié)構(gòu)為柵極。

3.如權(quán)利要求1所述的雙重圖形化膜層的方法，其特征在于，形成填充層之前，還包括：在所述第一圖形側(cè)壁形成聚合物，保護(hù)第一圖形。

4.如權(quán)利要求3所述的雙重圖形化膜層的方法，其特征在于，所述聚合物的形成方法為在第一圖形上和第一圖形側(cè)壁沉積一層聚合物層；所述沉積中使用的氣體包括碳元素和氟、溴、氯元素中的一種或它們的任意組合。

5.如權(quán)利要求4所述的雙重圖形化膜層的方法，其特征在于，所述沉積中使用的氣體的流量為100sccm～1000sccm，沉積壓強(qiáng)為3mTorr～30mTorr，功率為300W～1500W，射頻功率為2MHz～60MHz，處理時間為8s～60s。

6.如權(quán)利要求1所述的雙重圖形化膜層的方法，其特征在于，所述第一掩膜層包括：光刻膠層或光刻膠層在硬掩膜層上的疊層結(jié)構(gòu)。

7.如權(quán)利要求1所述的雙重圖形化膜層的方法，其特征在于，形成具有第一圖形的第一掩膜層的方法為：在所述膜層上形成第一掩膜層，利用光刻、刻蝕工藝圖形化第一掩膜層，形成具有第一圖形的第一掩膜層。

8.如權(quán)利要求1所述的雙重圖形化膜層的方法，其特征在于，所述填充層為底部抗反射涂層、有機(jī)絕緣涂層、有機(jī)圖形涂層或零摩擦碳涂層。

9.如權(quán)利要求8所述的雙重圖形化膜層的方法，其特征在于，所述填充層的形成方法為沉積。

10.如權(quán)利要求1所述的雙重圖形化膜層的方法，其特征在于，所述第二掩膜層包括光刻膠層或光刻膠層在硬掩膜層上的疊層結(jié)構(gòu)。

11.如權(quán)利要求6或10所述的雙重圖形化膜層的方法，其特征在于，所述硬掩膜層包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氮化硼、氮化鉭或金屬硬掩膜。

12.如權(quán)利要求11所述的雙重圖形化膜層的形成方法，其特征在于，所述金屬硬掩膜為氮化鈦或氮化硼。

13.如權(quán)利要求1所述的雙重圖形化膜層的方法，其特征在于，形成長條狀結(jié)構(gòu)之后，還包括，去除所述第一掩膜層、第二掩膜層和填充層。