[發明專利]具有自對準金屬線互連件的無通孔互連結構

有效

• 申請號: 201210365150.3
• 申請日: 2012-09-26
• 公開（公告）號: CN103383937A
• 公開（公告）日: 2013-11-06
• 發明（設計）人: 唐于博;張世明;謝艮軒;劉如淦
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L21/768
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種半導體器件，包括：

襯底；

第一導線，設置在所述襯底上方，其中，所述第一導線位于第一互連層中并沿著第一方向延伸；

第二導線和第三導線，所述第二導線和所述第三導線中的每一條均沿著不同于所述第一方向的第二方向延伸，其中，所述第二導線和所述第三導線位于不同于所述第一互連層的第二互連層中，并且所述第二導線和所述第三導線通過位于所述第一導線上方或下方的間隙分開；以及

第四導線，將所述第二導線和所述第三導線電連接到一起，所述第四導線位于不同于所述第一互連層和所述第二互連層的第三互連層中。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第四導線沿著所述第二方向延伸。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一方向與所述第二方向垂直。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第四導線設置在所述第二導線和所述第三導線之間的間隙上方。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括：

第五導線，位于所述第一互連層中；以及

第六導線，位于所述第二互連層中；

其中，所述第五導線和所述第六導線直接物理接觸。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括：

第五導線，設置在所述第二導線和所述第四導線之間；以及

第六導線，設置在所述第三導線和所述第四導線之間；

其中，所述第五導線和所述第六導線位于第四互連層中，所述第四互連層設置在所述第二互連層和所述第三互連層之間。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，所述第五導線和第六導線均沿著所述第一方向延伸。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一互連層、所述第二互連層和所述第三互連層中的至少一層不包含通孔。

9.一種半導體互連結構，包括：

第一金屬層，形成在襯底上方，所述第一金屬層包含在第一方向上定向的第一金屬線；

第二金屬層，形成在所述襯底上方，所述第二金屬層與所述第一金屬層不同并包含第二金屬線、第三金屬線以及將所述第二金屬線和所述第三金屬線分開的介電元件，所述第二金屬線和所述第三金屬線在不同于所述第一方向的第二方向上定向；以及

第三金屬層，形成在所述襯底上方，所述第三金屬層與所述第一金屬層和所述第二金屬層不同，所述第三金屬層包含第四金屬線，所述第四金屬線位于所述介電元件上方或下方并橋接所述第二金屬線和所述第三金屬線。

10.一種制造半導體器件的方法，包括：

在襯底上方形成第一金屬層，所述第一金屬層包含在第一方向上延伸的多條第一金屬線；

在所述襯底上方形成第二金屬層，所述第二金屬層與所述第一金屬層不同，所述第二金屬層包含在不同于所述第一方向的第二方向上延伸的多條第二金屬線，所述第二金屬線被一個或多個介電元件分開，其中，所述第二金屬線的第一子集直接位于所述第一金屬線的第一子集上，并且將所述第二金屬線的第二子集分開的一個介電元件直接位于所述第一金屬線的第二子集上；以及

在所述襯底上方形成第三金屬層，所述第三金屬層與所述第一金屬層和所述第二金屬層不同，所述第三金屬層包含位于所述第二金屬線的第二子集的上方或下方且位于所述第二金屬層的介電元件的上方或下方的至少一條第三金屬線，其中，所述第二金屬線的第二子集通過所述第三金屬線電連接到一起。