[發明專利]疊層封裝件結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201210365144.8
• 申請日: 2012-09-26
• 公開（公告）號: CN103377955A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 余振華;李明機;劉重希;陳孟澤;林威宏;鄭明達
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/498
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種形成半導體器件封裝件的方法，包括：

提供具有接觸焊盤的襯底；

將金屬球接合至所述接觸焊盤以形成第一接合結構；

將半導體管芯接合至所述襯底，其中，所述半導體管芯被設置為與所述第一接合結構相鄰；

將管芯封裝件接合至所述襯底與所述半導體管芯接合的表面，其中，接合所述管芯封裝件在所述管芯封裝件上的連接件和接合至所述襯底的所述金屬球之間形成第二接合結構；

在所述襯底上形成模制底部填充物(MUF)；以及

將包括接合至所述襯底的所述管芯封裝件和所述半導體管芯的所述半導體器件與所述襯底的剩余部分分割開。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述金屬球包括非焊料金屬球。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述非焊料金屬球包括：銅、鋁、銀、金、鎳、鎢、它們的合金或者它們的組合。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述金屬球的寬度在大約100μm至大約200μm的范圍內。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述半導體器件封裝件具有與所述金屬球相鄰的另一金屬球，并且所述金屬球和所述另一金屬球的間距在大約150μm至大約300μm的范圍內。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述金屬球包括涂有焊料層的非焊料金屬球。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述焊料層的厚度在0.5μm至大約10μm的范圍內。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述金屬球包括涂有中間層和焊料層的非焊料金屬球，其中，所述中間層位于所述非焊料金屬球和所述焊料層之間。

9.一種形成半導體器件封裝件的方法，包括：

將半導體管芯接合至襯底，其中，所述半導體管芯接合至所述襯底形成了包括非焊料金屬球的第一接合結構；

將管芯封裝件接合至所述襯底與所述半導體管芯接合的表面，其中，接合所述管芯封裝件在所述管芯封裝件上的連接件和接合至所述襯底的所述金屬球之間形成第二接合結構；

在所述襯底上形成模制底部填充物(MUF)；以及

將包括接合至所述襯底的所述管芯封裝件和所述半導體管芯的所述半導體器件與所述襯底的剩余部分分割開。

10.一種半導體封裝件，包括：

襯底；

第一半導體管芯，接合至所述襯底；

管芯封裝件，接合至所述襯底，其中，所述第一半導體管芯位于所述管芯封裝件和所述襯底之間，并且所述管芯封裝件通過包括非焊料金屬球的接合結構接合至所述襯底，并且所述管芯封裝件至少包括第二半導體管芯；以及

模制底部填充物，位于所述襯底上。