[發明專利]一種原位清潔MOCVD反應腔室的方法

有效

• 申請號: 201210364956.0
• 申請日: 2012-09-26
• 公開（公告）號: CN102899635A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 尹志堯;杜志游;孟雙;汪洋;張穎
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種原位清潔MOCVD反應腔室的方法，其特征在于，所述方法包括：

執行步驟（a）：

向所述反應腔室內部通入第一清潔氣體，并將所述第一清潔氣體在所述反應腔室內部轉化為第一清潔等離子體；和/或，

在所述反應腔室外部將所述第一清潔氣體轉化為所述第一清潔等離子體，并將所述第一清潔等離子體通入所述反應腔室內部；和/或，

向所述反應腔室內部通入所述第一清潔氣體，并維持所述反應腔室內部的溫度在200℃至500℃之間；

并將所述反應腔室內部的壓力保持在第一預定壓力范圍內第一時間段以去除所述反應腔室內部的含碳有機物；其中，所述第一清潔氣體包括還原氣體，所述還原氣體包括N2/H2的混合氣體、NH3中的一種或其組合；

執行步驟（b）：

向所述反應腔室內部通入第二清潔氣體，并將所述第二清潔氣體在所述反應腔室內部轉化為第二清潔等離子體；和/或，

在所述反應腔室外部將所述第二清潔氣體轉化為所述第二清潔等離子體，并將所述第二清潔等離子體通入所述反應腔室內部；和/或，

向所述反應腔室內部通入所述第二清潔氣體，并維持所述反應腔室內部的溫度在200℃至500℃之間；

并將所述反應腔室內部的壓力保持在第二預定壓力范圍內第二時間段以去除所述反應腔室內部的金屬及其化合物；其中所述第二清潔氣體包括第一含鹵素氣體。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一清潔氣體還包括Ar；和/或，所述第二清潔氣體還包括Ar。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一清潔氣體還包括第二含鹵素氣體，所述第二含鹵素氣體包括HCl、BCl3、Cl2、H2/Cl2的混合氣體、HBr中的一種或者幾種的組合。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一清潔氣體中所述還原氣體的摩爾分數大于所述第二含鹵素氣體的摩爾分數。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二清潔氣體還包括含氧氣體，所述含氧氣體包括O2、O3、CO2、H2O2、N2O、CO中的一種或者幾種的組合。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二清潔氣體中所述含氧氣體的摩爾分數小于所述第一含鹵素氣體的摩爾分數。

7.根據權利要求1-6任一項所述的方法，其特征在于，所述第一含鹵素氣體包括HCl、BCl3、Cl2、H2/Cl2的混合氣體、HBr中的一種或者幾種的組合。

8.根據權利要求1-6任一項所述的方法，其特征在于，所述第一時間段大于5分鐘，所述第二時間段大于3分鐘。