[發明專利]一種提高藍寶石研磨質量的方法無效
| 申請號： | 201210364618.7 | 申請日： | 2012-09-26 |
| 公開（公告）號： | CN102916094A | 公開（公告）日： | 2013-02-06 |
| 發明（設計）人： | 楊旅云;常志偉;張宇欣;張國龍;吳東平;陳曉鵬;薛進營;王明輝;夏成 | 申請（專利權）人： | 施科特光電材料（昆山）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 215300 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 藍寶石 研磨 質量 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種提高藍寶石研磨質量的方法，其特征在于，先采用激光燒蝕技術于藍寶石襯底內部形成具有預設排列及預設形狀的燒蝕圖形，然后再對所述藍寶石襯底進行研磨。
2.根據權利要求1所述的提高藍寶石研磨質量的方法，其特征在于：包括以下步驟：
1）提供一藍寶石襯底或具有藍寶石襯底的半導體器件；
2）采用激光燒蝕技術于所述藍寶石襯底內部形成具有預設排列及預設形狀的燒蝕圖形；
3）對所述藍寶石襯底進行研磨。
3.根據權利要求1或2所述的提高藍寶石研磨質量的方法，其特征在于：所述激光燒蝕技術為激光隱形切割技術。
4.根據權利要求1或2所述的提高藍寶石研磨質量的方法，其特征在于：所述燒蝕圖形呈直線排列，且排列方向與所述藍寶石襯底的定位邊平行。
5.根據權利要求4所述的提高藍寶石研磨質量的方法，其特征在于：平行排列的兩行燒蝕圖形的間距為100um～200um。
6.根據權利要求1或2所述的提高藍寶石研磨質量的方法，其特征在于：所述燒蝕圖形與所述藍寶石襯底下表面的距離為300um～330um。
7.根據權利要求1或2所述的提高藍寶石研磨質量的方法，其特征在于：所述燒蝕圖形的寬度為3um～5um，高度為5um～20um。
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