[發(fā)明專利]半導體元件的安裝方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210364433.6
• 申請日: 2012-09-26
• 公開（公告）號: CN103035541A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發(fā)明（設計）人: 櫻井大輔;后川和也
• 申請（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 馮雅

1.一種半導體元件的安裝方法，其為通過凸塊將第二半導體元件接合在基板或者第一半導體元件的表面的半導體元件的安裝方法，其特征在于，

具有加壓加熱工序和加壓冷卻工序，

所述加壓加熱工序為：在還原氣體氣氛中，利用加壓裝置對在基板或者多個第一半導體元件的表面的凸塊上臨時接合的多個第二半導體元件沿所述基板或者多個第一半導體元件和所述多個第二半導體元件相互接近的方向進行加壓，并加熱所述凸塊；

所述加壓冷卻工序為：一邊持續(xù)進行所述加壓裝置的所述加壓，一邊冷卻所述凸塊；

在所述加壓裝置中設置有能夠供所述還原氣體通過的還原氣體流入通路；

通過所述加壓加熱工序和所述加壓冷卻工序，將與所述基板或者多個第一半導體元件臨時接合的所述第二半導體元件正式接合，以進行安裝。

2.如權(quán)利要求1所述的半導體元件的安裝方法，其特征在于，通過所述正式接合以抑制所述臨時接合的多個第二半導體元件的翹曲。

3.如權(quán)利要求2所述的半導體元件的安裝方法，其特征在于，在所述臨時接合的所述第二半導體元件的至少一部分上進一步臨時接合其他的半導體元件或者所述第二半導體元件而進行層疊。

4.如權(quán)利要求2所述的半導體元件的安裝方法，其特征在于，所述加壓裝置對多個所述第二半導體元件分別進行加壓。

5.如權(quán)利要求4所述的半導體元件的安裝方法，其特征在于，所述加壓裝置由多個加壓構(gòu)件和將所述多個加壓構(gòu)件彼此連接的連接部構(gòu)成。

6.如權(quán)利要求5所述的半導體元件的安裝方法，其特征在于，所述連接部為網(wǎng)眼形狀或格子形狀。

7.如權(quán)利要求5所述的半導體元件的安裝方法，其特征在于，所述連接部具有能夠根據(jù)所述加壓構(gòu)件的變位而變形的彈性。

8.如權(quán)利要求4所述的半導體元件的安裝方法，其特征在于，所述加壓裝置由具有磁性的多個加壓構(gòu)件構(gòu)成，使用電磁鐵來控制多個所述加壓構(gòu)件的載放和提起。

9.如權(quán)利要求4所述的半導體元件的安裝方法，其特征在于，所述加壓裝置由沿所述基板或多個第一半導體元件與多個所述第二半導體元件相互接近的方向進行加壓的多個的銷構(gòu)成。

10.如權(quán)利要求5～8中任一項所述的半導體元件的安裝方法，其特征在于，所述加壓構(gòu)件為加壓重物。

11.如權(quán)利要求4所述的半導體元件的安裝方法，其特征在于，所述加壓裝置由將多個所述第二半導體元件包圍的導板和在由所述導板包圍的區(qū)域內(nèi)配置的粒狀物構(gòu)成。

12.如權(quán)利要求1～9中任一項所述的半導體元件的安裝方法，其特征在于，所述基板或成為底層的第一半導體元件是在晶片上形成的多個半導體元件。

13.如權(quán)利要求1～9、11中任一項所述的半導體元件的安裝方法，其特征在于，所述還原氣體是甲酸氣或氫氣。