[發明專利]一種金屬氧化物平面開關型液晶顯示面板及其制造方法

有效

• 申請號: 201210364180.2
• 申請日: 2012-09-26
• 公開（公告）號: CN102866552A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發明（設計）人: 焦峰;王海宏
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1368
• 分類號: G02F1/1368;G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/1333;H01L21/77
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種金屬氧化物平面開關型液晶顯示面板，其特征在于，包括：

掃描線；

信號線，與掃描線縱橫交叉；

像素單元，由掃描線和信號線交叉限定，所述每個像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管包括與掃描線電性連接的TFT柵極、與信號線連接線電性連接的TFT源極、TFT溝道區、以及與柵格狀像素電極連接的TFT漏極，所述TFT溝道區由金屬氧化物制成的；

共通電極線，與掃描線平行設置；

柵格狀共通電極，與共通電極線電性連接；該柵格狀共通電極與柵格像素電極均交錯位于像素區域。

2.根據權利要求1所述的金屬氧化物平面開關型液晶顯示面板，其特征在于：所述信號線包括第一信號線、相鄰像素單元的第二信號線和位于第一信號線和第二信號線之間的信號線連接線。

3.根據權利要求2所述的金屬氧化物平面開關型液晶顯示面板，其特征在于：所述信號線連接線、TFT源極、TFT漏極、柵格狀像素電極、以及柵格狀共通電極均由透明ITO制成的。

4.根據權利要求2所述的金屬氧化物平面開關型液晶顯示面板，其特征在于：所述信號線連接線、TFT源極、TFT漏極、以及柵格狀像素電極均由透明ITO制成的。

5.根據權利要求1所述的金屬氧化物平面開關型液晶顯示面板，其特征在于：所述信號線連接線、TFT源極、TFT漏極、柵格狀像素電極、以及柵格狀共通電極位于頂層。

6.根據權利要求1所述的金屬氧化物平面開關型液晶顯示面板，其特征在于：所述信號線連接線、TFT源極、TFT漏極、以及柵格狀像素電極位于頂層。

7.根據權利要求1所述的金屬氧化物平面開關型液晶顯示面板，其特征在于：所述信號線、掃描線、TFT柵極、以及公共電極線位于底層。

8.根據權利要求1所述的金屬氧化物平面開關型液晶顯示面板，其特征在于：所述信號線、掃描線、TFT柵極、共通電極線、以及柵格狀共通電極位于底層。

9.一種金屬氧化物平面開關型液晶顯示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

第一步：在基板上形成底層金屬氧化物層，具體形成：信號線圖案、共通電極線圖案、掃描線圖案、以及與掃描線連接的TFT柵極；

第二步：在形成第一步圖案的基礎上形成絕緣層，并在信號線、掃描線、共通電極線相應位置上形成接觸孔圖形；

第三步：在絕緣層上以透明ITO層形成連接在相鄰信號線之間信號線連接線、與信號線連接線連接的TFT源極、TFT溝道區、TFT漏極、與TFT漏極連接的柵格狀像素電極、以及與柵格狀像素電極交錯的柵格狀共通電極；

第四步：在TFT溝道區上形成金屬氧化物層溝道圖形和溝道保護層圖形。

10.一種金屬氧化物平面開關型液晶顯示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

第一步：在基板上形成底層金屬氧化物層，具體形成：信號線圖案、掃描線圖案、與掃描線連接的TFT柵極、共通電極線圖案、以及與共通電極線連接的柵格狀共通電極；

第二步：在形成第一步圖案的基礎上形成絕緣層，并在信號線、掃描線、共通電極線相應位置上形成接觸孔圖形；

第三步：在絕緣層上以透明層形成連接在相鄰信號線之間信號線連接線、與信號線連接線連接的TFT源極、TFT溝道區、TFT漏極、以及與TFT漏極連接且與柵格狀共通電極交錯的柵格狀像素電極；

第四步：在TFT溝道區上形成金屬氧化物層溝道圖形和溝道保護層圖形。