[發明專利]一種快恢復二極管的結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201210363887.1
• 申請日: 2012-09-26
• 公開（公告）號: CN103681877A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 吳海平;周雪飛;肖秀光;曹群
• 申請（專利權）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L29/45;H01L21/329;H01L29/36
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 張大威

1.一種快恢復二極管的結構，包括：

陰極金屬層;

形成在所述陰極金屬層上的陰極區,所述陰極區具有第一導電類型；

形成在所述陰極區上的漂移區，所述漂移區具有第一導電類型；

形成在所述漂移區上的陽極區，所述陽極區具有第二導電類型，所述陽極區的摻雜濃度高于所述漂移區的摻雜濃度且低于所述陰極區的摻雜濃度；

形成在所述陽極區上的導電層；和

形成在所述導電層上的陽極金屬層。

2.如權利要求1所述的快恢復二極管的結構，其中，所述陰極區為重摻雜，所述漂移區為輕摻雜。

3.如權利要求1所述的快恢復二極管的結構，其中，所述導電層的材料包括多晶硅、非晶硅。

4.如權利要求1所述的快恢復二極管的結構，其中，所述陽極區的摻雜濃度比所述漂移區的摻雜濃度高一至兩個數量級。

5.如權利要求1所述的快恢復二極管的結構，其中，所述導電層的厚度范圍為0.01μm-0.2μm。

6.一種快恢復二極管的制造方法，包括以下步驟：

提供半導體襯底，所述半導體襯底為陰極區且具有第一導電類型；

在所述半導體襯底的第一表面形成外延層，所述外延層具有第一導電類型；

對所述外延層進行第二導電類型摻雜以在所述外延層的上部分形成陽極區，所述外延層的下部分為漂移區，所述陽極區的摻雜濃度高于所述漂移區的摻雜濃度且低于所述陰極區的摻雜濃度；

在所述陽極區上形成導電層；

在所述導電層上形成陽極金屬層；和

在所述半導體襯底的第二表面形成陰極金屬層。

7.如權利要求6所述的制造方法，其中，所述陰極區為重摻雜，所述漂移區為輕摻雜。

8.如權利要求6所述的制造方法，其中，所述導電層的材料包括多晶硅、非晶硅。

9.如權利要求6所述的制造方法，其中，所述陽極區的摻雜濃度比所述漂移區的摻雜濃度高一至兩個數量級。

10.如權利要求6所述的制造方法，其中，所述導電層的厚度范圍為0.01μm-0.2μm。