[發(fā)明專利]有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210363886.7
• 申請日: 2012-09-26
• 公開（公告）號: CN103035848A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發(fā)明（設計）人: 金俊中;方熙皙
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;孫海龍

1.一種有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置包括形成在基板上的多個子像素，

其中，具有發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域的各子像素包括：

驅動薄膜晶體管，所述驅動薄膜晶體管在所述非發(fā)光區(qū)域處的所述基板上；

保護層，所述保護層在包括所述驅動薄膜晶體管的所述基板上；

濾色器，所述濾色器在所述發(fā)光區(qū)域處的所述保護層上；

平坦化層，所述平坦化層在包括所述濾色器的所述保護層上；

第一漏極接觸孔，所述第一漏極接觸孔在所述保護層和所述平坦化層中，露出所述驅動薄膜晶體管的漏極；

光補償層，所述光補償層在所述平坦化層上，所述光補償層具有露出所述第一漏極接觸孔的第二漏極接觸孔以及露出所述平坦化層的至少一個虛設孔；以及

有機發(fā)光元件，所述有機發(fā)光元件在所述光補償層上，所述有機發(fā)光元件通過所述第一漏極接觸孔和所述第二漏極接觸孔與所述漏極相接觸，并且所述有機發(fā)光元件包括第一電極、有機發(fā)光層和第二電極。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述至少一個虛設孔具有與所述第二漏極接觸孔的面積相同的總面積。

3.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述光補償層是諸如SiNx和SiO₂的硅族材料的無機膜。

4.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述多個子像素具有紅色子像素、綠色子像素、藍色子像素和白色子像素。

5.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述至少一個虛設孔形成在所述非發(fā)光區(qū)域處。

6.一種制造具有多個子像素的有機發(fā)光顯示裝置的方法，各子像素具有發(fā)光區(qū)域和非發(fā)光區(qū)域，所述方法包括以下步驟：

在非發(fā)光區(qū)域處的基板上形成驅動薄膜晶體管；

在包括所述驅動薄膜晶體管的所述基板上形成保護層；

在所述保護層上形成濾色器；

在包括所述濾色器的所述保護層上形成平坦化層；

選擇性地去除所述保護層和所述光補償層，以形成將所述驅動薄膜晶體管的漏極露出的第一漏極接觸孔；

在所述平坦化層上形成光補償層，以具有露出所述第一漏極接觸孔的第二漏極接觸孔以及露出所述平坦化層的至少一個虛設孔；以及

在所述光補償層上形成有機發(fā)光元件，以通過所述第一漏極接觸孔和所述第二漏極接觸孔與所述漏極相接觸。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，通過干法刻蝕形成所述第二漏極接觸孔和所述至少一個虛設孔。

8.根據權利要求6所述的方法，其中，所述至少一個虛設孔具有與所述第二漏極接觸孔的面積相同的總面積。

9.根據權利要求6所述的方法，其中，所述光補償層是諸如SiNx和SiO₂的硅族材料的無機膜。

10.根據權利要求6所述的方法，其中，所述多個子像素具有紅色子像素、綠色子像素、藍色子像素和白色子像素。

11.根據權利要求6所述的方法，其中，所述至少一個虛設孔形成在所述非發(fā)光區(qū)域處。