[發明專利]一種金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板及其制造方法

無效

• 申請號: 201210363678.7
• 申請日: 2012-09-26
• 公開（公告）號: CN102854685A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 焦峰
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1368
• 分類號: G02F1/1368;G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/1333;H01L21/77
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板，其特征在于，包括：

掃描線，位于底層；

信號線，與掃描線縱橫交叉；

像素單元，由掃描線和信號線交叉限定；

共通電極線，位于底層；

第一絕緣層，覆蓋在掃描線和共通電極線之上；

共通電極，與所述共通電極線電性連接；

第二絕緣層，覆蓋在共通電極之上，其中，

所述像素單元包括薄膜晶體管和位于頂層的柵格狀像素電極。

2.一種金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板，其特征在于，包括：

掃描線，位于底層；

信號線，與掃描線縱橫交叉；

像素單元，由掃描線和信號線交叉限定；

共通電極線，位于底層；

第一絕緣層，覆蓋在掃描線和共通電極線之上；

柵格狀共通電極，位于頂層，且與所述共通電極線電性連接，其中，

第二絕緣層，位于柵格狀共通電極之上；

所述像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，且所述第一絕緣層位于像素電極之上。

3.根據權利要求1或2所述的液晶顯示面板，其特征在于：所述信號線包括第一信號線和相鄰像素單元的第二信號線、以及連接第一信號線和第二信號線之間的信號線連接線，所述信號線連接線由ITO制成的。

4.根據權利要求3所述的液晶顯示面板，其特征在于：所述薄膜晶體管包括：與掃描線連接的柵極、與信號線連接線連接的源極、以及與像素電極連接的漏極。

5.根據權利要求4所述的液晶顯示面板，其特征在于：所述源極、漏極、以及像素電極均由ITO制成的。

6.根據權利要求4所述的液晶顯示面板，其特征在于：所述源極與漏極之間設有ITO溝道。

7.根據權利要求5述的液晶顯示面板，其特征在于：所述TFT溝道上形成金屬氧化物層溝道圖形。

8.一種金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

第一步：在基板上形成第一層底層金屬，該第一層底層金屬形成第一信號線、相鄰像素單元的第二信號線、掃描線、共通電極線、以及TFT柵極的圖案；

第二步：在形成第一步的圖案的基礎上形成第一絕緣層，并在共通電極線上的第一絕緣層上形成第一接觸孔圖形；

第三步：在第一絕緣層的圖案基礎上形成位于像素區域內的共通電極圖形，并通過共通電極線上的接觸孔連接共通電極與共通電極線；

第四步：在形成第三步的圖案基礎上形成第二絕緣層，并在第一信號線、第二信號線、掃描線、共通電極線相應位置上形成接觸孔圖形；

第五步：在第二絕緣層圖案上形成透明ITO層，具體形成圖案為：信號線連接線、TFT源極、位于像素區域內形成柵格狀像素電極、與柵格狀像素電極連接形成TFT漏極、以及位于TFT源極與TFT漏極之間形成TFT溝道；

第六步：在TFT溝道上形成金屬氧化物層溝道圖形和溝道保護層圖形。

9.一種金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

第一步：在基板上形成第一層底層金屬，該第一層底層金屬形成第一信號線、相鄰像素單元的第二信號線、掃描線、共通電極線、以及TFT柵極的圖案；

第二步：在形成第一步的圖案的基礎上形成第一絕緣層，并在第一信號線和第二信號線上的第一絕緣層上分別形成第一接觸孔和第二接觸孔的圖形；

第三步：在第一絕緣層上形成透明ITO層，具體形成：在第一接觸孔和第二接觸孔之間形成信號線連接線、與第二信號線的第二接觸孔連接形成的TFT源極、位于像素區域內形成柵格狀像素電極、與柵格狀像素電極連接形成TFT漏極、位于TFT源極與TFT漏極之間形成TFT溝道；

第四步：在TFT溝道上形成金屬氧化物層溝道圖形；

第五步：在形成第四步的圖案基礎上形成第二絕緣層，并在掃描線和共通電極線相應位置上形成接觸孔圖形；

第六步：在第二絕緣層上形成柵格狀共通電極圖形，通過共通電極線的接觸孔電連接柵格狀共通電極與共通電極線。

10.根據權利要求8或9所述的液晶顯示面板的制造方法，其特征在于：所述第一絕緣層和第二絕緣層的材料均是SiNx或SiO₂。