[發明專利]區熔石墨舟

無效

• 申請號: 201210362789.6
• 申請日: 2012-09-25
• 公開（公告）號: CN103668428A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 吳建洪
• 申請（專利權）人: 常州市立新石墨有限公司
• 主分類號: C30B13/14
• 分類號: C30B13/14
• 代理公司: 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231
• 代理人: 金輝

技術領域

本發明涉及一種石墨舟，特別涉及一種區熔石墨舟。

背景技術

區熔法是一種利用局部區域熔化后，通過熔區的運動進行提純的方法，它是一種制備高純單晶的方法，廣泛應用于硅鍺等單晶的制備。區熔法主要可分為水平區熔法和懸浮區熔法兩種，兩種方法生產工藝不同。

物質的固相和液相在密度差的驅動下，均會發生運動，因而可通過區域熔煉控制或者重新分配存在于原料紙的可溶性雜質。同時區熔法可有效消除分凝效應，也可將所期望的雜質均勻摻入晶體中，并在一定程度上控制盒消除位錯、包裹體等結構缺陷。

區熔法是利用熱能在半導體棒料的一端產生一熔區，再熔接單晶籽晶。調節溫度使熔區緩慢地向棒的另一端移動，通過整根棒料，生長成一根單晶，晶向與籽晶晶向相同。區熔法適宜生長那些在熔點溫度時具有非常強的溶解能力的材料，可生長熔點極高或活性較強的材料。區熔法主要分為兩種，即水平區熔法和懸浮區熔法。水平區熔提純是只把材料錠的一部分熔化形成熔區，并使熔區從錠條的一端移動另一端。因為每次熔化的僅是錠條的一部分，當熔區第二次在錠首時，由于雜質濃度較高的尾部沒被熔化，所以小熔區中的雜質濃度一定比原來錠的雜質濃度要小，熔區移動后，新凝固的固相雜質濃度要比第一次小。這樣當熔區一次次通過錠條時，材料就能逐漸被提純，使中間部分純度達到要求的程度。生產中，鍺錠放在一個清潔處理過的高純區熔石墨舟中，舟放入石英管中，區熔時，石英管內填充氫氣或其他惰性氣體保護或者抽真空，防止鍺在高溫時被氧化。現有區熔石墨舟為整體結構，雜質的流動僅僅靠區熔過程中產生的動力，影響到提純的質量，無雜質儲存的區域，不易區分雜質。

發明內容

本發明的目的是解決上述不足，提供一種雜質流動具有更好的導向性，且具有存放雜質的區域的，區熔石墨舟。

實現本發明目的的技術方案是：一種區熔石墨舟，具有石墨舟本體，開設在石墨舟本體內部的凹槽，所述石墨舟本體中還具有雜質凹槽，凹槽與雜質凹槽之間由隔塊間隔開。

上述的區熔石墨舟，所述雜質凹槽與凹槽的接觸面為梯形結構，另一端即尾端為半圓形。

上述的區熔石墨舟，所述雜質凹槽的深度為凹槽深度的60%。

上述的區熔石墨舟，所述雜質凹槽與凹槽的長度比為1:7。

上述的區熔石墨舟，所述隔塊（為軸截面為梯形的隔塊。

????本發明具有積極的效果：（1）采用兩段設計，能夠對雜質流動有較好的導向性；（2）具有單獨的雜質儲存區域，提高提純效率。

附圖說明

為了使本發明的內容更容易被清楚地理解，下面根據具體實施例并結合附圖，對本發明作進一步詳細的說明，其中

圖1為本發明的結構示意圖的俯視圖；圖2為本發明的剖面示意圖。

其中1?石墨舟本體，2?凹槽，3?雜質凹槽，4?隔塊。

具體實施方式

見圖1，本發明具有石墨舟本體1，開設在石墨舟本體1內部的凹槽2，凹槽2兩個頂端間的長度為405mm，深度為36mm；石墨舟本體1中還具有雜質凹槽3，凹槽3的長度為57mm，深度為21.6mm，凹槽2與雜質凹槽3之間由隔塊4間隔開，隔塊4的軸截面為梯形，雜質凹槽3與凹槽2的接觸面為梯形，另一端即尾端為半圓形。

以上所述的具體實施例，對本發明的目的、技術方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本發明的具體實施例而已，并不用于限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。