[發明專利]一種高透光率透明顯示裝置有效
| 申請號: | 201210362777.3 | 申請日: | 2012-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN102854680A | 公開(公告)日: | 2013-01-02 |
| 發明(設計)人: | 馬群剛 | 申請(專利權)人: | 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/133 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 210033 江蘇省南京市仙林大道科*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 透光率 透明 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及一種高透光率透明顯示裝置,特別涉及用于透明顯示的像素結構的透明顯示裝置。
背景技術
透明顯示器為新世代的面板技術,使面板具有高的光透過率,將實體信息與虛擬信息加以結合。目前,使用LCD面板的透明顯示器主要使用高透過率彩膜、追加白色子像素、場色序法等技術。其中采用高透過率彩膜技術,透明顯示器的色彩飽和度和對比度都會下降;采用追加白色子像素的技術的現有方案為,一是增加掃描線數量來實現,另一種是增加數據線的數量來實現。子像素掃描線數量倍增后,子像素的開口率下降,并且驅動電路變得復雜,每個像素在每一幀內寫入的時間減少;當數據線的數量倍增后,驅動IC的個數增加,成本增加。
圖1給出了一種現有采用追加白色子像素技術的透明顯示器單元。一子像素的陣列結構中包括兩條掃描線10和一條數據線20,掃描線10和數據線20交叉。還包括上下兩子像素電極即透明子像素電極11和白色子像素電極12,這兩個子像素的圖像型號都來自數據線20,同時每個子像素對應一個TFT來控制。TFT的源極為有源層110與數據線20相連的一側定義為源極,TFT的漏極為有源層110與透明子像素112或白色子像素12電性連接的一側定義為漏極,TFT的柵極為有源層110下方的掃描線定義為柵極。與像素陣列基板對應的彩膜基板上的子像素在對應透明子像素11的子像素含有色阻層,用來顯示彩色圖像;對應白色子像素12的子像素沒有色阻,用來顯示白色圖像。相比沒有白色子像素的像素結構,追加白色子像素技術的像素結構的掃描線、公共電極線、透明像素電極和薄膜晶體管TFT數目都發生倍增,像素結構和驅動系統變得復雜。同時,數據線上的電壓信號寫入帶色阻子像素的時間減半,充放電效率下降。
發明內容
發明目的:本發明的目的是為了解決透明子像素信號電壓寫入時間減半的問題以及降低像素結構的復雜度和驅動系統的復雜度。同時,提高透明顯示裝置的光透過率。
技術方案:為了達到上述發明目的,本發明提供一種高透光率透明顯示裝置,包含一有源矩陣基板和與有源矩陣基板對置的一對置基板,以及夾在兩個基板之間的液晶層,其中有源矩陣基板包括:
若干掃描線,
若干數據線,與相應的掃描線交叉;
若干公共電極線,與相應的掃描線平行;
若干像素單元,由所述掃描線與相應的數據線交叉限定,每個像素單元包括三個子像素單元,每個子像素單元包括用于顯示顏色的第一孫像素單元和無色阻的第二孫像素單元,所述第一孫像素單元與相應的第二孫像素單元公用同一掃描線;
若干第一孫像素電極,設于第一孫像素單元內;
若干第二孫像素電極,設于第二孫像素單元內;
若干第一控制元件,用于控制相應的第一孫像素單元,每個第一控制元件包括與相應數據線電性連接的第一源極;
若干第二控制元件,用于控制相應的第二孫像素單元,每個第二控制元件包括與相應的掃描線或公共電極線電性連接的第二源極。
其中,所述第一控制元件還包括與相應的第一孫像素電極連接的第一漏極;所述第二控制元件也包括與相應的第二孫像素電極電性連接的第二漏極;所述第一控制元件還包括與相應的掃描線電性連接的第一柵極;所述第二控制元件也包括與相應的掃描線電性連接的第二柵極。
本發明還提供了另一種技術方案,該方案為一種高透光率透明顯示裝置,包含一有源矩陣基板和與有源矩陣基板對置的一對置基板,以及夾在兩個基板之間的液晶層,其中有源矩陣基板包括,若干掃描線,
若干數據線,與相應的掃描線交叉;
若干公共電極線,與相應的掃描線平行;
若干像素單元,由所述掃描線與相應的數據線交叉限定,每個像素單元包括三個子像素單元,每個子像素單元包括用于顯示顏色的第一孫像素單元和無色阻的第二孫像素單元,該第一孫像素單元與相應的第二孫像素單元公用同一掃描線;
若干第一孫像素電極,設于第一孫像素單元內;
若干第二孫像素電極,設于第二孫像素單元內;
若干第一控制元件,用于控制相應的第一孫像素單元,每個第一控制元件包括與相應數據線電性連接的第一源極;
其中,所述第二孫像素電極與相應的公共電極線電性連接。
進一步,所述第一控制元件還包括與相應的第一像素電極連接的第一漏極。
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