[發明專利]一種主動式OLED有效
| 申請號: | 201210362715.2 | 申請日: | 2012-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN102881711A | 公開(公告)日: | 2013-01-16 |
| 發明(設計)人: | 洪孟逸 | 申請(專利權)人: | 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 夏雪 |
| 地址: | 210033 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 主動 oled | ||
1.一種主動式OLED,包括數據線(1)、電源供應線(2)、掃描線(3)、共通電極(4)、數據TFT(5)、電流TFT(6)、有機發光層(7)和透明電極層(8),所述數據TFT(5)和電流TFT(6)與所述數據線(1)同層形成,所述共通電極(4)的上方形成所述有機發光層(7),所述透明電極層(8)覆蓋所述有機發光層(7),其特征在于,所述數據線(1)與所述電源供應線(2)利用不同層金屬制作并重疊,所述共通電極(4)與所述數據線(1)或所述掃描線(3)同層形成。
2.如權利要求1所述的主動式OLED,其特征在于,所述掃描線(3)與所述數據線(1)利用同一金屬層形成。
3.如權利要求1所述的主動式OLED,其特征在于,所述OLED為底發光OLED或頂發光OLED。
4.如權利要求4所述的主動式OLED,其特征在于,所述數據TFT(5)和電流TFT(6)為頂柵結構或底柵結構。
5.如權利要求4所述的主動式OLED,其特征在于,所述數據TFT(5)和所述電流TFT(6)均由IGZO構成。
6.如權利要求1所述的主動式OLED,其特征在于,還包括數據TFT柵極(31)和電流TFT柵極(32),所述數據TFT柵極(31)和電流TFT柵極(32)與所述掃描線(3)同層形成。
7.一種主動式OLED的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
a、首先依序形成數據線(1)、數據TFT(5)以及電流TFT(6),然后形成第一絕緣層,并在第一絕緣層上開設與數據TFT(5)接觸的第一接觸孔(51);
b、在步驟a形成的第一絕緣層上利用掃描線金屬形成掃描線(3)、數據TFT柵極(31)、電流TFT柵極(32)、以及共通電極(4),其中,電流TFT柵極(32)一端通過第一接觸孔(51)與數據TFT(5)電性連接,電流TFT柵極(32)的另一端位于電流TFT(6)的上方,掃描線(3)連接數據TFT柵極(31),電流TFT柵極(32)與掃描線(3)相互分離;;
c、在掃描線金屬上覆蓋保護層(9),并在數據TFT(5)處形成第二接觸孔(91),在電流TFT(6)的兩端分別形成第三接觸孔(92)和第四接觸孔(93),共通電極(4)與掃描線(3)同層形成;
d、在步驟c形成的圖案上形成電流供應線(2)和有機發光層(7),并在有機發光層(7)上形成透明電極層(8),其中,有機發光層(7)形成在共通電極(4)上,電流供應線(2)通過第二接觸孔(91)和第三接觸孔(92)分別與數據TFT(5)和電流TFT(6)電性連接,透明電極層(8)通過第四接觸孔(93)電性連接電流TFT(6),電流供應線(2)與數據線(1)利用不同層金屬制作形成并重疊。
8.一種主動式OLED的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
a、首先依序形成數據線(1)、共通電極(4)、數據TFT(5)和電流TFT(6),然后形成第一絕緣層,并在第一絕緣層上開設與數據線(1)、電流TFT(6)的兩端和數據TFT(5)的兩端接觸的接觸孔,共通電極(4)與數據線(1)同層形成;
b、在第一絕緣層上利用掃描線金屬形成掃描線(3)、數據線柵極(30)、數據TFT柵極(31)和電流TFT柵極(32),數據線柵極(30)的一端通過接觸孔電性連接數據線(1),數據線柵極(30)的另一端通過接觸孔電性連接數據TFT(5),數據TFT柵極(31)的一端位于數據TFT(5)的上方,數據TFT柵極(31)的另一端連接掃描線(3),電流TFT柵極(32)的一端通過接觸孔電性連接數據TFT(5),電流TFT柵極(32)的另一端位于電流TFT(6)的上方,電流TFT柵極(32)與掃描線(3)相互分離;
c、在掃描線金屬上覆蓋保護層(9),并在電流TFT(6)處形成接觸孔,在共通電極(4)上形成有機發光層(7);
d、在步驟c形成的圖案上形成電流供應線(2)和透明電極層(8),電流供應線(2)通過接觸孔電流TFT(6)電性連接,透明電極層(8)連接電流TFT(6)并覆蓋有機發光層(7),透明電極層(8)通過接觸孔與電流TFT(6)電性連接,電流供應線(2)與數據線(1)利用不同層金屬制作形成并重疊。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
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H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
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