[發明專利]提高FLASH使用壽命的方法

有效

• 申請號: 201210362510.4
• 申請日: 2012-09-25
• 公開（公告）號: CN102890656A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發明（設計）人: 李新樂;康婷霞
• 申請（專利權）人: TCL光電科技（惠州）有限公司
• 主分類號: G06F12/06
• 分類號: G06F12/06
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

技術領域

本發明涉及數據存儲技術領域，特別是涉及一種提高FLASH使用壽命的方法。

背景技術

隨著電子技術的發展，電子設備的功能日益豐富，為了實現電子設備的功能，人們需要把各種的數據存儲到相應的電子設備的存儲芯片中，一般采用FLASH存儲器進行存儲。

FLASH存儲器又稱閃存，是一種非易失性存儲器，廣泛應用于嵌入式系統中，集合了只讀內存（ROM）和隨機存儲器（RAM）的長處，不僅具備電子可擦除可編程的性能，還可以快速讀取數據，使數據不會因為斷電而丟失。

FLASH存儲器可以進行讀寫操作，在進行寫操作之前要先進行擦除，FLASH存儲器按照塊為單位進行擦除，當對FLASH進行同一地址高頻率的擦寫操作后，FLASH會很快出現壞扇區從而影響存儲器的正常使用。

發明內容

基于上述不足，有必要提供一種提高FLASH使用壽命的方法，以解決高頻率的擦寫操作影響FLASH使用壽命的問題。

一種提高FLASH使用壽命的方法，所述FLASH用于存儲用戶數據，包括以下步驟：

從FLASH中劃出兩個以上的存儲單元，所述每一存儲單元的數據存儲區能夠完整存儲所述用戶數據；

每一次更新所述用戶數據時，將更新后的用戶數據存儲在另一非當前存儲單元中；

所述兩個以上的存儲單元依次輪流存儲所述用戶數據。

在其中一個實施例中，所述每個存儲單元還包括身份編碼存儲區和狀態標識存儲區，分別用于存儲身份編碼和狀態標識；其中，

當所述存儲單元的數據存儲區為空時，所述狀態標識為全新；

寫準備工作就緒時，所述狀態標識為準寫；

寫工作完成后，所述狀態標識為寫完；

存儲單元被廢棄時，所述狀態標識為廢棄。

在其中一個實施例中，所述狀態標識全新的數據標識為0xFF，所述狀態標識準寫的數據標識為0xFC，所述狀態標識寫完的數據標識為0xF0，所述狀態標識廢棄的數據標識為0x00。

在其中一個實施例中，所述更新用戶數據的步驟具體包括以下步驟：

寫數據初始化，讀取所述狀態標識為寫完的存儲單元的地址；

讀取下一個存儲單元狀態標識；

如果所述下一個存儲單元的狀態標識位全新，則將所述下一個存儲單元狀態標識為準寫，寫入存儲數據以及身份編碼，然后將所述狀態標識為寫完，最后將上一次狀態標識為寫完的存儲單元的狀態標識置為廢棄；

如果所述下一個存儲單元的狀態標識位不為全新，則繼續判斷與所述下一個存儲單元相鄰的下一存儲單元的狀態標識。

在其中一個實施例中，如果所述下一個存儲單元的狀態標識位不為全新并且為準寫時，將所述存儲單元狀態標識為廢棄。

在其中一個實施例中，進一步包括以下步驟：

將所述FLASH劃分為一個以上的邏輯塊，每個所述邏輯塊包括一個以上的所述存儲單元；

判斷所述狀態標識為寫完的存儲單元所在的邏輯塊是否已寫滿；

如果未寫滿，則查找該邏輯塊中狀態標識為全新的存儲單元，并將用戶數據存儲在該全新的存儲單元中；

如果已寫滿，則查找并擦除下一個邏輯塊，并將用戶數據存儲在該下一個邏輯塊的第一個存儲單元中。

在其中一個實施例中，還包括讀數據的步驟，具體為：

讀數據初始化；

掃描狀態標識，判斷所述狀態標識是否為寫完；

如果否，則繼續掃描下一個存儲單元，如果掃描全部存儲單元未掃描到狀態標識為寫完的存儲單元，則提供默認數據；

如果是，則檢驗身份編碼是否合法；

如果合法，則讀取相應數據并返回存儲單元的地址；

如果不合法，則將其狀態標識為廢棄，繼續掃描下一個存儲單元。

在其中一個實施例中，對每個存儲單元進一步設置擦寫次數狀態位，所述擦寫次數狀態位存放于所述存儲單元，記錄所在存儲單元的擦寫次數；

寫數據時，初始化過程讀取上一次存儲單元的擦寫次數；

每次寫入數據后擦寫次數加1。

在其中一個實施例中，所述各個邏輯塊大小相同，所述各個存儲單元大小相同。