[發明專利]一種功率型發光二極管的制作方法

有效

• 申請號: 201210361848.8
• 申請日: 2012-09-25
• 公開（公告）號: CN103681981A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 朱廣敏;郝茂盛;齊勝利;陶淳;潘堯波;張楠;陳誠;陳耀;袁根如;李士濤
• 申請（專利權）人: 上海藍光科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L21/78
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種功率型發光二極管的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步驟：

1）提供一藍寶石襯底，于所述藍寶石襯底上制備u-GaN層；

2）刻蝕所述u-GaN層至所述藍寶石襯底形成多個走道，以隔出多個相互獨立的u-GaN單元；

3）于各該u-GaN單元上形成介質層；

4）對各該介質層進行圖案化處理，以在各該u-GaN單元表面的形成多個周期性排列且具有預設圖案的介質層單元；

5）于上述結構表面形成發光外延層；

6）清除各該走道內的發光外延層，并于所述發光外延層中刻蝕出N電極制備區域，然后制備P電極及N電極，形成多個發光二極管晶胞；

7）對所述藍寶石襯底進行減??；

8）依據各該發光二極管晶胞對所述藍寶石襯底進行激光內切處理；

9）于所述藍寶石襯底背表面制作背鍍反射鏡；

10）對上述結構進行裂片以獲得多個獨立的發光二極管晶胞。

2.根據權利要求1所述的功率型發光二極管的制作方法，其特征在于：采用化學氣相沉積法或氫化物氣相外延法制備所述u-GaN層。

3.根據權利要求1所述的功率型發光二極管的制作方法，其特征在于：所述u-GaN層的厚度2~5um。

4.根據權利要求1所述的功率型發光二極管的制作方法，其特征在于：所述介質層為SiO₂層、SiO₂與Ti₂O₅周期性濺射層或SiO₂與Ta₂O₅周期性濺射層。

5.根據權利要求1所述的功率型發光二極管的制作方法，其特征在于：所述介質層的厚度為60~1200nm。

6.根據權利要求1所述的功率型發光二極管的制作方法，其特征在于：所述介質層單元的形狀為正六邊形、圓形、矩形、正方形或菱形。

7.根據權利要求1所述的功率型發光二極管的制作方法，其特征在于：所述介質層單元呈六角陣列排列。

8.根據權利要求1所述的功率型發光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟6）中，采用選擇性腐蝕技術或感應耦合等離子刻蝕技術清除各該走道內的發光外延層。

9.根據權利要求1所述的功率型發光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟8）中，采用激光對減薄后的藍寶石襯底進行2次內切處理。

10.根據權利要求1所述的功率型發光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟9）中，采用裂片刀的方式進行裂片。