[發明專利]一種紅外光學窗口及其制造方法有效
| 申請號： | 201210361646.3 | 申請日： | 2012-09-26 |
| 公開（公告）號： | CN102854548A | 公開（公告）日： | 2013-01-02 |
| 發明（設計）人： | 何少偉;陳鵬杰;王明星;胡慶;徐向東;李偉 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | G02B1/11 | 分類號： | G02B1/11 |
| 代理公司： | 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 譚新民 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 紅外 光學 窗口 及其 制造 方法 | ||
1.一種制造紅外光學窗口的方法，包括：
提供紅外光學窗口基片；
在所述紅外光學窗口基片的入射面上形成第一抗反射結構；
在所述紅外光學窗口基片的出射面上形成第二抗反射結構；
在形成了所述第一抗反射結構的所述入射面上形成聚合物薄膜保護層。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：在所述紅外光學窗口基片的入射面上形成第一抗反射結構包括：
在所述入射面上形成氮化硅層；
在所述氮化硅層上涂布光刻膠層；
在所述光刻膠層上形成于所述第一抗反射結構對應的圖形；
用所述光刻膠層對所述氮化硅層進行過刻蝕，形成氮化硅掩膜層；
去除所述氮化硅掩膜層上的所述光刻膠層；
用所述氮化硅掩膜層刻蝕所述入射面，形成所述第一抗反射結構；
去除所述氮化硅掩膜層。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于：在所述紅外光學窗口基片的出射面上形成第二抗反射結構包括：
在所述出射面上形成氮化硅層；
在所述氮化硅層上涂布光刻膠層；
在所述光刻膠層上形成于所述第二抗反射結構對應的圖形；
用所述光刻膠層對所述氮化硅層進行過刻蝕，形成氮化硅掩膜層；
去除所述氮化硅掩膜層上的所述光刻膠層；
用所述氮化硅掩膜層刻蝕所述出射面，形成所述第二抗反射結構；
去除所述氮化硅掩膜層。
4.如權利要求1至3中任意一項所述的方法，其特征在于：所述第一抗反射結構和/或所述第二抗反射結構為凸起的圓柱、圓錐、圓臺或棱柱。
5.如權利要求1至3中任意一項所述的方法，其特征在于：所述第一抗反射結構和/或所述第二抗反射結構為凹入的圓柱形凹槽、圓錐形凹槽、圓臺形凹槽或棱柱形凹槽。
6.如權利要求1至3中任意一項所述的方法，其特征在于：所述聚合物薄膜保護層由具有高紅外光透過率的聚合物材料形成。
7.一種紅外光學窗口，包括：
紅外光學窗口基片，其中在所述紅外光學窗口基片的入射面上形成有第一抗反射結構，在所述紅外光學窗口基片的出射面上形成有第二抗反射結構；
聚合物薄膜保護層，所述聚合物薄膜保護層形成在所述入射面上，所述聚合物薄膜保護層覆蓋所述第一抗反射結構。
8.如權利要求7所述的紅外光學窗口，其特征在于：所述第一抗反射結構和/或所述第二抗反射結構為凸起的圓柱、圓錐、圓臺或棱柱。
9.如權利要求7所述的紅外光學窗口，其特征在于：所述第一抗反射結構和/或所述第二抗反射結構為凹入的圓柱形凹槽、圓錐形凹槽、圓臺形凹槽或棱柱形凹槽。
10.如權利要求7至9中任意一項所述的紅外光學窗口，其特征在于：所述聚合物薄膜保護層由具有高紅外光透過率的聚合物材料形成。
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