[發明專利]固體電解電容器的制造方法有效
| 申請號： | 201210361501.3 | 申請日： | 2012-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN103021665A | 公開（公告）日： | 2013-04-03 |
| 發明（設計）人： | 阿部洋輔 | 申請（專利權）人： | 三洋電機株式會社 |
| 主分類號： | H01G9/15 | 分類號： | H01G9/15;H01G9/004 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 劉建 |
| 地址： | 日本國大阪府守*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 固體 電解電容器 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種固體電解電容器的制造方法，其特征在于，
所述固體電解電容器的制造方法依次包括：
在由多孔質體構成的陽極體的表面形成電介質被膜的工序；
在所述電介質被膜上形成含有硅烷化合物的密合層的工序；
在所述電介質被膜上形成固體電解質層的工序，
形成所述密合層的工序包括將所述陽極體浸漬于含有硅烷偶聯劑的溶液中并使所述陽極體和所述溶液中的至少任一方振動的工序以及將所述陽極體浸漬于所述溶液中并加熱所述溶液的工序中的至少一個工序。
2.根據權利要求1所述的固體電解電容器的制造方法，其特征在于，
所述陽極體是具有100000μFV/g以上的CV值的燒結體。
3.根據權利要求1所述的固體電解電容器的制造方法，其特征在于，
所述電介質被膜由金屬氧化物構成，所述固體電解質層由導電性高分子層構成。
4.根據權利要求1所述的固體電解電容器的制造方法，其特征在于，
所述溶液中的所述硅烷偶聯劑的濃度在0.1質量％以上。
5.根據權利要求1所述的固體電解電容器的制造方法，其特征在于，
在加熱所述溶液的工序中，所述溶液的加熱溫度低于100℃。
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