[發明專利]浮柵閃存器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201210361371.3
• 申請日: 2012-09-25
• 公開（公告）號: CN102891149A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發明（設計）人: 蔡一茂;武慧薇;梅松;黃如
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;許偉群

1.一種浮柵閃存器件，其特征在于，包括襯底和在所述襯底上層疊設置的隧穿氧化層、浮柵、阻擋絕緣層、控制柵，所述襯底上設置有源漏電極區，所述隧穿氧化層位于所述襯底之上；所述浮柵位于所述隧穿氧化層之上；所述阻擋絕緣層位于所述浮柵之上；所述控制柵位于所述阻擋絕緣層之上，其中，所述浮柵內設置有至少一層阻擋層。

2.如權利要求1所述的浮柵閃存器件，其特征在于，所述浮柵包括第一浮柵和第二浮柵，所述阻擋層位于所述第一浮柵之上，所述第二浮柵位于所述阻擋層之上。

3.如權利要求1所述的浮柵閃存器件，其特征在于，所述阻擋層的厚度范圍為1nm到5nm。

4.如權利要求1所述的浮柵閃存器件，其特征在于，形成所述阻擋層的材料為下列之一：

SiO₂、Al₂O₃、TiN。

5.一種浮柵閃存器件的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底之上開出浮柵區域窗口；

在所述浮柵區域窗口上方形成隧穿氧化層；

在所述隧穿氧化層之上形成浮柵，其中，在所述浮柵內形成有至少一層阻擋層；

在所述浮柵之上形成阻擋絕緣層；

在所述阻擋絕緣層之上形成控制柵。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述隧穿氧化層之上形成浮柵，包括：

在所述隧穿氧化層上形成第一浮柵；

在所述第一浮柵之上形成阻擋層；

在所述阻擋層之上形成第二浮柵；

所述在所述浮柵之上形成阻擋絕緣層，包括：

在所述第二浮柵之上形成所述阻擋絕緣層。

7.如權利要求5所述的方法，其特征在于，形成所述阻擋層的方法包括熱氧化或淀積的方法。

8.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述阻擋層的厚度范圍為1nm到5nm。

9.如權利要求5所述的方法，其特征在于，形成所述阻擋層的材料為下列之一：SiO₂、Al₂O₃、TiN。