[發(fā)明專利]針對(duì)微機(jī)電集成系統(tǒng)的內(nèi)建自測(cè)試系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210360676.2 | 申請(qǐng)日: | 2012-09-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102879729A | 公開(公告)日: | 2013-01-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李佳;王瑋冰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江蘇物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心 |
| 主分類號(hào): | G01R31/3167 | 分類號(hào): | G01R31/3167 |
| 代理公司: | 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所 32104 | 代理人: | 曹祖良 |
| 地址: | 214135 江蘇省無錫市新*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 針對(duì) 微機(jī) 集成 系統(tǒng) 測(cè)試 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及微機(jī)電集成系統(tǒng)的可靠性設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域,具體是一種能夠應(yīng)用于微機(jī)電集成系統(tǒng)的內(nèi)建自測(cè)試系統(tǒng)。
背景技術(shù)
根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖(ITRS:International?Technology?Roadmap?for?Semiconductors)近年來的分析報(bào)告,微機(jī)電集成系統(tǒng)(Micro-Electromechanical?System:MEMS)已成為“后摩爾定律”路線中的核心發(fā)展方向。然而,由于MEMS中通常集成了包含數(shù)字電路、模擬電路、傳感器、執(zhí)行器、存儲(chǔ)器多種不同結(jié)構(gòu)的器件,其需要多樣化且集成化的測(cè)試訪問機(jī)制;另外,由于MEMS通常應(yīng)用于對(duì)可靠性要求較高且人們不易直接控制的領(lǐng)域中,例如航空航天、汽車、生物醫(yī)學(xué)、環(huán)境監(jiān)控、通訊、軍事、核電等,需要設(shè)計(jì)能夠?qū)ζ溥M(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)及修復(fù)的機(jī)制。
目前已有的MEMS測(cè)試方案往往是采用對(duì)系統(tǒng)的機(jī)械與電路部分分開測(cè)試之后集成的方案,不利于提高集成后MEMS系統(tǒng)的產(chǎn)率以及測(cè)試質(zhì)量;另一方面,已有的MEMS設(shè)計(jì)方案往往不能滿足MEMS產(chǎn)品在應(yīng)用過程中的實(shí)時(shí)檢測(cè)與修復(fù)的高可靠性功能需求。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)以上問題,本發(fā)明提出了一種適用于MEMS的內(nèi)建自測(cè)試(Built-In-Self-Test:BIST)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案,以實(shí)現(xiàn)提高M(jìn)EMS可靠性、提高M(jìn)EMS測(cè)試質(zhì)量的目的。
為實(shí)現(xiàn)以上目的,本發(fā)明所提出的針對(duì)微機(jī)電集成系統(tǒng)的內(nèi)建自測(cè)試系統(tǒng)包括:偽隨機(jī)數(shù)字測(cè)試激勵(lì)信號(hào)產(chǎn)生器、數(shù)字測(cè)試激勵(lì)與模擬激勵(lì)信號(hào)轉(zhuǎn)換器、電激勵(lì)信號(hào)與機(jī)械激勵(lì)轉(zhuǎn)換器、機(jī)械響應(yīng)與模擬響應(yīng)轉(zhuǎn)換器、模擬響應(yīng)與數(shù)字響應(yīng)轉(zhuǎn)換器、期望響應(yīng)比較器;所述偽隨機(jī)數(shù)字測(cè)試激勵(lì)信號(hào)產(chǎn)生器的輸出端依次連接數(shù)字測(cè)試激勵(lì)與模擬激勵(lì)信號(hào)轉(zhuǎn)換器、電激勵(lì)信號(hào)與機(jī)械激勵(lì)轉(zhuǎn)換器,電激勵(lì)信號(hào)與機(jī)械激勵(lì)轉(zhuǎn)換器的輸出作用到待測(cè)機(jī)械部件,所述待測(cè)機(jī)械部件的物理測(cè)試響應(yīng)再依次連接到機(jī)械響應(yīng)與模擬響應(yīng)轉(zhuǎn)換器、模擬響應(yīng)與數(shù)字響應(yīng)轉(zhuǎn)換器,所述模擬響應(yīng)與數(shù)字響應(yīng)轉(zhuǎn)換器的輸出端和偽隨機(jī)數(shù)字測(cè)試激勵(lì)信號(hào)產(chǎn)生器的輸出端連接到期望響應(yīng)比較器;首先利用偽隨機(jī)數(shù)字測(cè)試激勵(lì)信號(hào)產(chǎn)生器生成數(shù)字測(cè)試激勵(lì)序列,然后通過數(shù)模轉(zhuǎn)換、電信號(hào)與物理信號(hào)轉(zhuǎn)換轉(zhuǎn)化為物理測(cè)試激勵(lì),應(yīng)用于待測(cè)機(jī)械部件后得到物理測(cè)試響應(yīng),然后將物理測(cè)試響應(yīng)通過物理信號(hào)與電信號(hào)轉(zhuǎn)換、模數(shù)轉(zhuǎn)換為數(shù)字測(cè)試響應(yīng)序列,最后將實(shí)際的數(shù)字測(cè)試響應(yīng)序列與偽隨機(jī)序列產(chǎn)生器生成的數(shù)字測(cè)試激勵(lì)序列一起發(fā)送至期望響應(yīng)比較器獲得待測(cè)系統(tǒng)的測(cè)試判定結(jié)果;若系統(tǒng)報(bào)錯(cuò),將實(shí)際的測(cè)試響應(yīng)序列發(fā)送至片外以供故障診斷使用。
所述偽隨機(jī)數(shù)字測(cè)試激勵(lì)信號(hào)產(chǎn)生器生成將被應(yīng)用于MEMS系統(tǒng)測(cè)試的數(shù)字激勵(lì)序列,是一個(gè)偽隨機(jī)序列產(chǎn)生器,其特征多項(xiàng)式:P(x)=a0+a1x+…+anxn決定了這個(gè)偽隨機(jī)序列產(chǎn)生器所能產(chǎn)生的偽隨機(jī)序列的狀態(tài)覆蓋范圍及跳變循環(huán)規(guī)律,其中a0,a1,…,an表示寄存器序列中每個(gè)寄存器的反饋系數(shù),若一個(gè)寄存器前存在反饋信號(hào)則其反饋系數(shù)為1,否則為0;為提高測(cè)試故障覆蓋率,針對(duì)不同的MEMS系統(tǒng),設(shè)計(jì)具有不同特征多項(xiàng)式的偽隨機(jī)序列產(chǎn)生器。
所述期望響應(yīng)比較器首先提取與待測(cè)MEMS系統(tǒng)特征相符合的模型函數(shù),并將其用數(shù)字邏輯電路實(shí)現(xiàn),從而將輸入的偽隨機(jī)測(cè)試激勵(lì)序列在邏輯函數(shù)電路的運(yùn)算結(jié)果作為期望測(cè)試響應(yīng)序列,將期望測(cè)試響應(yīng)序列與實(shí)際測(cè)試響應(yīng)序列逐位異或比較,當(dāng)對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)位有不同的邏輯值時(shí),將其報(bào)給指示單元,并將錯(cuò)誤結(jié)果輸出至片外。
所述指示單元由一個(gè)寄存器單元構(gòu)成,在默認(rèn)條件下初始邏輯值為0,當(dāng)實(shí)際響應(yīng)與期望響應(yīng)不符時(shí),所述指示單元的邏輯值跳變?yōu)?以指示測(cè)試結(jié)果不通過,當(dāng)本組測(cè)試激勵(lì)比較完畢后,所述指示單元又恢復(fù)至默認(rèn)邏輯值0。
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- 專利分類
G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過端—不過端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
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