[發(fā)明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制造方法與退火爐

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210359964.6
• 申請(qǐng)日: 2012-09-24
• 公開（公告）號(hào): CN103187415A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 藍(lán)緯洲;辛哲宏;吳幸怡
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 元太科技工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02;H01L29/786;H01L21/77;H01L21/67
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó)

1.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，包含：

一基底；

一柵極層，形成于該基底上；

一絕緣層，形成于該柵極層及該基底上；

一氧化物半導(dǎo)體層，形成于該絕緣層上；

一源極/漏極層，設(shè)置于該絕緣層及該氧化物半導(dǎo)體層上，該源極/漏極層形成有一間隙，該氧化物半導(dǎo)體層自該間隙露出；

一有機(jī)壓克力系光阻層，覆蓋于該源極/漏極層上；

一保護(hù)層，形成于該基底、該氧化物半導(dǎo)體層及該光阻層上；以及

一導(dǎo)電層，設(shè)置于該保護(hù)層或該光阻層上且連接至該源極/漏極層或該柵極層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，該氧化物半導(dǎo)體層包含一非晶氧化物，該非晶氧化物包括銦、鋅、及鎵。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，該導(dǎo)電層的材料包含銦錫氧化物。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，該保護(hù)層為一有機(jī)保護(hù)層。

5.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，包含：

（a）提供一基底；

（b）依序形成一柵極層覆蓋于該基底上、形成一絕緣層同時(shí)覆蓋于該基底與該柵極層上、形成一氧化物半導(dǎo)體層覆蓋于該絕緣層上；

（c）在該氧化物半導(dǎo)體層與該絕緣層上同時(shí)形成一源極/漏極層，其特征在于，該源極/漏極層形成有一間隙，使該氧化物半導(dǎo)體層自該間隙露出；

（d）形成一有機(jī)壓克力系光阻覆蓋于該源極/漏極層上，并在含有固定濃度的氧的環(huán)境中，對(duì)該氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行退火處理；

（e）對(duì)該氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行退火處理后，形成一保護(hù)層于該基底、該氧化物半導(dǎo)體層及該有機(jī)壓克力系光阻上；以及

（f）對(duì)該保護(hù)層及該有機(jī)壓克力系光阻進(jìn)行蝕刻制程，在蝕刻制程完成后的該保護(hù)層或該有機(jī)壓克力系光阻上形成一導(dǎo)電層且使該導(dǎo)電層連接至該源極/漏極層或該柵極層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，該蝕刻制程是一干式蝕刻制程。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，該干式蝕刻制程是一等離子蝕刻制程。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，該氧化物半導(dǎo)體層包含一非晶氧化物，該非晶氧化物包括銦、鋅及鎵。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，該導(dǎo)電層的材料包含銦錫氧化物。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，該保護(hù)層為一有機(jī)保護(hù)層。

11.一種用于如權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法中步驟(d)的退火爐，其特征在于，包含：

一第一腔體與一第二腔體，其中該第二腔體是包覆該第一腔體；

一第一氣室與一第二氣室，其中該第一氣室內(nèi)填充一氧氣且該第二氣室內(nèi)填充一惰性氣體；

一第一氣道，分別連接該第一氣室與該第一腔體用以將該氧氣自該第一氣室傳送至該第一腔體；

一第二氣道，該第二氣道一端與該第二氣室連接，該第二氣道的相對(duì)另一端延伸一第一分支部與一第二分支部，該第一分支部連接該第一腔體且該第二分支部連接該第二腔體用以將該惰性氣體自該第二氣室分別傳送至該第二腔體與該第一腔體；

一警示控制裝置，包含：

一氣體偵測(cè)裝置，是設(shè)置于該第一腔體內(nèi)，用以偵測(cè)該第一腔體內(nèi)的該氧氣與該惰性氣體的濃度比例；

一警示裝置，是與該氣體偵測(cè)裝置連接用以發(fā)出警示信號(hào)；以及

多個(gè)氣流控制閥，是設(shè)置在該第二氣道的該第一分支部與該第一氣道上并連接該氣體偵測(cè)裝置及該警示裝置，用以控制該氧氣與該惰性氣體進(jìn)入該第一腔體的流量；以及

一氣壓控制裝置，是分別連接該第一腔體與該第二腔體，用以控制該第一腔體與該第二腔體內(nèi)部的氣體壓力。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的退火爐，其特征在于，進(jìn)一步包含一主氣道，是將該第二氣道的該第一支部與該第一氣道匯整成一而進(jìn)入該第一腔體。