[發明專利]微波處理裝置和被處理體的處理方法無效
| 申請號: | 201210359879.X | 申請日: | 2012-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN103021907A | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發明(設計)人: | 蘆田光利 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/268 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微波 處理 裝置 方法 | ||
1.一種微波處理裝置,其特征在于,包括:
收容被處理體的處理容器;
微波導入裝置,其具有生成用于處理所述被處理體的微波的至少1個微波源,將所述微波導入所述處理容器;和
控制所述微波導入裝置的控制部,
所述控制部在用于處理所述被處理體的狀態持續的期間,使所述微波的頻率變化。
2.如權利要求1所述的微波處理裝置,其特征在于:
在用于處理所述被處理體的狀態下,生成所述微波的狀態和不生成所述微波的狀態交替反復多次,
所述控制部在生成1次的所述微波的狀態的期間,使所述微波的頻率變化。
3.如權利要求1所述的微波處理裝置,其特征在于:
在用于處理所述被處理體的狀態下,生成所述微波的狀態和不生成所述微波的狀態交替反復多次,
所述控制部按生成所述微波的每個狀態,使所述微波的頻率變化。
4.如權利要求1~3中任一項所述的微波處理裝置,其特征在于:
所述微波源通過被施加規定的電壓而生成所述微波,
所述控制部通過改變施加于所述微波源的電壓,使所述微波的頻率變化。
5.如權利要求1~3中任一項所述的微波處理裝置,其特征在于:
所述微波導入裝置包括:生成所述微波的多個微波源;和將在所述多個微波源中生成的所述微波傳送到所述處理容器的多個傳送通路。
6.如權利要求5所述的微波處理裝置,其特征在于:
所述微波導入裝置能夠將多個所述微波同時導入所述處理容器。
7.如權利要求1~3中任一項所述的微波處理裝置,其特征在于:
所述微波用于對所述被處理體進行照射來處理所述被處理體。
8.一種處理方法,是使用微波處理裝置處理被處理體的處理方法,該微波處理裝置包括:收容所述被處理體的處理容器;和微波導入裝置,具有生成用于處理所述被處理體的微波的至少1個微波源,將所述微波導入所述處理容器,所述處理方法的特征在于:
在用于處理所述被處理體的狀態持續的期間,使所述微波的頻率變化。
9.如權利要求8所述的處理方法,其特征在于:
在用于處理所述被處理體的狀態下,生成所述微波的狀態和不生成所述微波的狀態交替反復多次,
在生成1次的所述微波的狀態的期間,使所述微波的頻率變化。
10.如權利要求8所述的處理方法,其特征在于:
在用于處理所述被處理體的狀態下,生成所述微波的狀態和不生成所述微波的狀態交替反復多次,
按生成所述微波的每個狀態,使所述微波的頻率變化。
11.如權利要求8~10中任一項所述的微波處理方法,其特征在于:
所述微波源通過被施加規定的電壓而生成所述微波,
通過改變施加于所述微波源的電壓,使所述微波的頻率變化。
12.如權利要求8~10中任一項所述的處理方法,其特征在于:
所述微波導入裝置包括:生成所述微波的多個微波源;和將在所述多個微波源中生成的所述微波傳送到所述處理容器的多個傳送通路。
13.如權利要求12所述的處理方法,其特征在于:
所述微波導入裝置能夠將多個所述微波同時導入所述處理容器。
14.如權利要求8~10中任一項所述的處理方法,其特征在于:
所述微波用于對所述被處理體進行照射來處理所述被處理體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





