[發明專利]CdS單晶生長方法及裝置

有效

• 申請號: 201210359321.1
• 申請日: 2012-09-24
• 公開（公告）號: CN103668444A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 程紅娟;徐永寬;史月增;李暉;張嵩;楊丹丹
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十六研究所
• 主分類號: C30B23/02
• 分類號: C30B23/02;C30B29/50
• 代理公司: 工業和信息化部電子專利中心 11010
• 代理人: 張蕾

1.一種CdS單晶生長方法，其特征在于，包括：

將CdS單晶籽晶置于拋光片上，然后將該拋光片放置在支撐臺上；

將CdS粉料和低阻摻雜劑放入坩堝內，所述坩堝放置在位于所述支撐臺上的反應管內，所述反應管的外側設有外管；

所述外管設在加熱爐內，將所述外管內抽真空，并向所述外管內通入載氣；

將生長區溫度升至950-1015度，源區溫度升至1000-1055度，進行CdS單晶生長；

生長結束后，將爐內溫度降至室溫，取出生長后的CdS單晶。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述拋光片和所述支撐臺采用石英、藍寶石或碳化硅材料制成。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述反應管和所述外管采用石英材料制成。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述低阻摻雜劑包括In、Zn和Cd中的一種或多種混合物。

5.根據權利要求1-4任意一項所述的方法，其特征在于，所述載氣為高純的惰性氣體，所述反應管內的壓強為100-800毫帕。

6.根據權利要求1-4任意一項所述的方法，其特征在于，所述生長區與源區的溫度差為10-50度。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述生長區與源區的溫度差為15度。

8.一種CdS單晶生長裝置，其特征在于，包括：

拋光片，用于放置CdS單晶籽晶；

支撐臺，用于放置所述拋光片；

坩堝，用于盛放CdS粉料和低阻摻雜劑；

反應管，用于套在裝入CdS粉料和低阻摻雜劑的所述坩堝和所述CdS單晶籽晶的外側；

外管，用于套在所述反應管和所述支撐臺的外圍，抽真空后通入載氣；

加熱爐，用于對反應管進行加熱，將生長區溫度升至950-1015度，源區溫度升至1000-1055度，進行CdS單晶生長。

9.根據權利要求8所述的裝置，其特征在于，所述支撐臺為圓柱形，其高度為20-150毫米，直徑為20-80毫米，且與拋光片的接觸面為拋光面。

10.根據權利要求8或9所述的裝置，其特征在于，所述拋光片的上下兩個表面為拋光面。