[發明專利]基板處理方法以及基板處理裝置

有效

• 申請號: 201210359233.1
• 申請日: 2012-09-24
• 公開（公告）號: CN103367110B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: 高橋弘明
• 申請（專利權）人: 斯克林集團公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司72003
• 代理人: 聶寧樂,向勇

1.一種基板處理方法，其特征在于，包括：

沖洗工序，對硅基板的表面供給第一溫度的水，利用該水對所述硅基板的表面實施沖洗處理，

第二溫度水供給工序，在所述沖洗工序之后，對所述硅基板的表面供給比所述第一溫度低的第二溫度的水，

干燥工序，在所述第二溫度水供給工序之后，使所述硅基板旋轉，從而將該硅基板的表面的水甩向硅基板的周圍，使所述硅基板干燥。

2.如權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，

所述第一溫度是常溫以上的溫度，所述第二溫度是比常溫低并且比水的凝固點高的溫度。

3.如權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，

還包括基板旋轉工序，該基板旋轉工序與所述沖洗工序以及所述第二溫度水供給工序并行執行，用于使所述硅基板旋轉。

4.如權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，

還包括在執行所述沖洗工序之前執行的藥液供給工序，

在該藥液供給工序中，對所述硅基板的表面供給藥液，利用所述藥液對該硅基板的表面實施處理。

5.如權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，

還包括在執行所述沖洗工序之前執行的氫氟酸供給工序，

在該氫氟酸供給工序中，對所述硅基板的表面供給氫氟酸，利用所述氫氟酸對該硅基板的表面實施處理。

6.如權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，

還包括與所述干燥工序并行執行的氣體供給工序，

在該氣體供給工序中，使具有對置面的對置構件與所述硅基板向相同方向旋轉，同時對所述對置面與所述硅基板的表面之間供給氣體，所述對置面與所述硅基板的表面相對置。

7.一種基板處理裝置，其特征在于，包括：

基板旋轉單元，其保持硅基板進行旋轉，

第一溫度水供給單元，其用于對由所述基板旋轉單元保持的所述硅基板的表面供給第一溫度的水，

第二溫度水供給單元，其用于對由所述基板旋轉單元保持的所述硅基板的表面供給比所述第一溫度低的第二溫度的水，

控制單元，其對所述基板旋轉單元、第一溫度水供給單元以及第二溫度水供給單元進行控制，來執行沖洗工序、第二溫度水供給工序、干燥工序；

在所述沖洗工序中，對所述硅基板的表面供給第一溫度的水，利用該水對所述硅基板的表面實施沖洗處理，

在所述第二溫度水供給工序中，在所述沖洗工序之后，對所述硅基板的表面供給第二溫度的水，

在干燥工序中，在所述第二溫度水供給工序之后，使所述硅基板旋轉，從而將該硅基板的表面的水甩向硅基板的周圍，使所述硅基板干燥。

8.如權利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述第一溫度是常溫以上的溫度，

所述第二溫度水供給單元包括冷卻單元，該冷卻單元用于將水冷卻到比常溫低的溫度。