[發(fā)明專利]堆迭式半導(dǎo)體封裝件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210357830.0
• 申請日: 2012-09-24
• 公開（公告）號: CN102856296A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙興華;翁肇甫;唐和明;葉勇誼;張惠珊;賴逸少;謝慧英
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/36
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種堆迭式半導(dǎo)體封裝件，且特別是有關(guān)于一種可提升散熱效率的堆迭式半導(dǎo)體封裝件。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)堆迭式半導(dǎo)體封裝件(Package?on?Package，PoP)將多個彼此堆迭的半導(dǎo)體封裝件設(shè)置于電路板上，一般而言，由于最底部的半導(dǎo)體封裝件直接設(shè)于電路板上，故其熱量可通過電路板傳導(dǎo)出去，然而，底部半導(dǎo)體封裝件以上的半導(dǎo)體封裝件與電路板的距離就較遠，散熱較差，導(dǎo)致堆迭式半導(dǎo)體封裝件的整體散熱效率不佳。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明有關(guān)于一種，堆迭式半導(dǎo)體封裝件，其可提升堆迭式半導(dǎo)體封裝件整體的散熱效率。

根據(jù)本發(fā)明，提出一種堆迭式半導(dǎo)體封裝件。堆迭式半導(dǎo)體封裝件包括一第一半導(dǎo)體封裝件、一第二半導(dǎo)體封裝件、一第一橫向散熱件、一第二橫向散熱件及一直立散熱件。第一半導(dǎo)體封裝件具有一外側(cè)面及一上表面。第二半導(dǎo)體封裝件堆迭于第一半導(dǎo)體封裝件的上表面上，且具有一上表面及一外側(cè)面。第一橫向散熱件設(shè)于第一半導(dǎo)體封裝件的上表面與第二半導(dǎo)體封裝件之間。第二橫向散熱件設(shè)于第二半導(dǎo)體封裝件的上表面上。直立散熱件連接于第一橫向散熱件且沿著第一半導(dǎo)體封裝件的外側(cè)面及第二半導(dǎo)體封裝件的外側(cè)面延伸。

為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖，作詳細說明如下：

附圖說明

圖1A繪示依照本發(fā)明一實施例的堆迭式半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。

圖1B繪示圖1A的第一橫向散熱件、第二橫向散熱件及直立散熱件的俯視圖。

圖2繪示依照本發(fā)明另一實施例的堆迭式半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。

圖3繪示依照本發(fā)明另一實施例的堆迭式半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。

圖4繪示依照本發(fā)明另一實施例的堆迭式半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。

圖5繪示依照本發(fā)明另一實施例的堆迭式半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。

主要元件符號說明：

10：電路扳

11：散熱元件

20：散熱系統(tǒng)

100、200、300、400、500：堆迭式半導(dǎo)體封裝件

110：第一半導(dǎo)體封裝件

110s、120s：外側(cè)面

111、121：基板

111b：下表面

110u、111u、120u：上表面

112、122：芯片

113、123：封裝體

115：第二電性接點

120：第二半導(dǎo)體封裝件

124：電性接點

130：直立散熱件

131：第一子散熱件

132：第二子散熱件

140：第一橫向散熱件

141：貫孔

150：第二橫向散熱件

160：第一熱介面材料

170：第二熱介面材料

W1：長度

W2：間距

具體實施方式

請參照圖1A，其繪示依照本發(fā)明一實施例的堆迭式半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。堆迭式半導(dǎo)體封裝件100設(shè)于且電性連接于電路板10，且包括第一半導(dǎo)體封裝件110、第二半導(dǎo)體封裝件120、至少一電性接點124、直立散熱件130、第一橫向散熱件140及第二橫向散熱件150。

第一半導(dǎo)體封裝件110具有外側(cè)面110s及上表面110u且包括基板111、芯片112、封裝體113及至少一第二電性接點115。芯片112設(shè)于且電性連接于基板111的上表面111u。封裝體113包覆芯片112。第二電性接點115設(shè)于基板111的下表面111b。第一半導(dǎo)體封裝件110通過第二電性接點115設(shè)于且電性連接于電路板10。

第二半導(dǎo)體封裝件120堆迭于第一半導(dǎo)體封裝件110上。第二半導(dǎo)體封裝件120具有上表面120u及外側(cè)面120s，且包括基板121、芯片122及封裝體123。芯片122設(shè)于且電性連接于基板121的上表面，而封裝體123包覆芯片122。

電性接點124呈葫蘆狀的焊球，其為第一半導(dǎo)體封裝件110的電性接點與第二半導(dǎo)體封裝件120的電性接點在回焊工藝(reflow)后融合而成。電性接點124可由熱傳導(dǎo)性佳的材料制成，如銅或其合金，使第一半導(dǎo)體封裝件110及/或第二半導(dǎo)體封裝件120的熱量可通過電性接點124對流或傳導(dǎo)至第一橫向散熱件140及/或直立散熱件130。