[發(fā)明專利]二吡啶芴類衍生物、其制備方法和應(yīng)用及電致發(fā)光器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210357537.4 | 申請(qǐng)日: | 2012-09-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103509016A | 公開(公告)日: | 2014-01-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃宏;付東;申智淵;邵詩(shī)強(qiáng);施建華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | TCL集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C07D471/04 | 分類號(hào): | C07D471/04;C07D519/00;C09K11/06;H01L51/54 |
| 代理公司: | 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44268 | 代理人: | 王永文;楊宏 |
| 地址: | 516001 廣東省惠州市*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 吡啶 衍生物 制備 方法 應(yīng)用 電致發(fā)光 器件 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光材料領(lǐng)域,尤其涉及一種二吡啶芴類衍生物、其制備方法和應(yīng)用及電致發(fā)光器件。
背景技術(shù)
芴基單元由于其取代位點(diǎn)較多,其化學(xué)結(jié)構(gòu)式如圖1所示,可以形成多種化合物分子,在有機(jī)小分子材料以及聚合物分子材料的制備中得到廣泛應(yīng)用。現(xiàn)有芴類磷光主體材料具有相對(duì)較寬的能帶寬度,可以很好地應(yīng)用為有機(jī)小分子及聚合物藍(lán)光熒光發(fā)光材料。但由于芴基單元由兩個(gè)苯環(huán)構(gòu)成,導(dǎo)致現(xiàn)有芴類磷光主體材料的電子傳輸能力相對(duì)較弱,同時(shí)由于芴基單元的共軛結(jié)構(gòu),導(dǎo)致現(xiàn)有芴類磷光主體材料三重態(tài)能級(jí)相對(duì)較低,因此,現(xiàn)有芴類磷光主體材料不能滿足藍(lán)光磷光發(fā)光器件的要求。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明的目的在于提供一種二吡啶芴類衍生物、其制備方法和應(yīng)用及電致發(fā)光器件,以提供一類具有高三重態(tài)能級(jí)、高電子遷移率以及高熱穩(wěn)定性的雙極藍(lán)光磷光主體材料,并可將此類主體材料用于制備高效的電致磷光發(fā)光器件,旨在彌補(bǔ)現(xiàn)有芴類磷光主體材料三重態(tài)能級(jí)不能很好地滿足藍(lán)光磷光發(fā)光器件的要求,和芴類磷光主體材料的電子傳輸速率相對(duì)較弱的缺點(diǎn)。
本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
二吡啶芴類衍生物,其中,所述二吡啶芴類衍生物的分子結(jié)構(gòu)通式如下所示:
;
其中,當(dāng)R1為H時(shí),R2為、、、之一;
當(dāng)R1為時(shí),R2為。
一種如上所述的二吡啶芴類衍生物的制備方法,其中,包括以下步驟:
將起始原料A,起始原料B溶解于干燥的二氯甲烷中,同時(shí)在氮?dú)猸h(huán)境下加入三氟甲烷酸,加熱至110℃避光反應(yīng)回流24小時(shí);然后冷卻至室溫,加水淬滅反應(yīng),二氯甲烷萃取,合并有機(jī)相,無水硫酸鈉干燥,過濾,除去有機(jī)溶劑,用二氯甲烷與甲醇重結(jié)晶得白色固體粉末,即所述二吡啶芴類衍生物;
其中,當(dāng)所述起始原料A為9-苯基-9-羥基-4,5-二吡啶芴時(shí),所述起始原料B為4,4′-二甲基三苯胺、4-甲基三苯胺、三苯胺、4,4′-二苯胺基苯之一;當(dāng)所述起始原料A為二吡啶芴酮時(shí),所述起始原料B為4,4′-二甲基三苯胺。
所述的二吡啶芴類衍生物的制備方法,其中,當(dāng)所述起始原料A為9-苯基-9-羥基-4,5-二吡啶芴時(shí),?起始原料B為4,4′-二甲基三苯胺時(shí),A與B以及三氟甲烷酸的摩爾質(zhì)量比為1:?(1?~?3):?(0.5?~?1.5);起始原料B為4-甲基三苯胺時(shí),A與B以及三氟甲烷酸的摩爾質(zhì)量比為:?(2?~?4):?1:?(1?~?3);起始原料B為三苯胺時(shí),A與B以及三氟甲烷酸的摩爾質(zhì)量比為:?(3?~?6):?1:?(1.5?~?4.5);起始原料B為4,4′-二苯胺基苯時(shí),?A與B以及三氟甲烷酸的摩爾質(zhì)量比為:?(4?~?8):?1:?(2?~?6)。
所述的二吡啶芴類衍生物的制備方法,其中,當(dāng)所述起始原料A為二吡啶芴酮,B為4,4′-二甲基三苯胺時(shí),A與B以及三氟甲烷酸的摩爾質(zhì)量比為:?1:?(2?~?8):?(1?~?3)。
一種如上所述的二吡啶芴類衍生物的應(yīng)用,其中,將所述二吡啶芴類衍生物作為藍(lán)光磷光主體發(fā)光材料用于制備電致發(fā)光器件。
一種電致發(fā)光器件,包括玻璃,所述玻璃上從里向外依次附著有導(dǎo)電玻璃襯底層、空穴注入層、空穴傳輸層、激子阻檔層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和鋁電極,其中,所述發(fā)光層是由如上所述的二吡啶芴類衍生物和摻雜材料組成;所述摻雜材料為銥金屬絡(luò)合物。
所述的電致發(fā)光器件,其中,所述空穴注入層為MoO3,所述空穴傳輸層為NPB,所述激子阻檔層為mCP,所述電子傳輸層為TmPyPB,所述電子注入層LiF。
所述的電致發(fā)光器件,其中,所述空穴注入層的厚度為5?~?15?nm,所述空穴傳輸層的厚度為20?~?60nm,所述激子阻擋層的厚度為2?~?10?nm,所述發(fā)光層的厚度為10?~?60nm,所述電子傳輸層的厚度為30?~?60nm,所述電子注入層的厚度為0.5?~?3nm。
所述的電致發(fā)光器件,其中,所述摻雜材料為FIrpic,摻雜濃度為4%?~?8%。
所述的電致發(fā)光器件,其中,所述FIrpic的摻雜濃度為7%。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于TCL集團(tuán)股份有限公司,未經(jīng)TCL集團(tuán)股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210357537.4/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種易換式管件接頭
- 下一篇:一種致密儲(chǔ)層水平井體積壓裂工藝
- 同類專利
- 專利分類
C07D 雜環(huán)化合物
C07D471-00 在稠環(huán)系中含有氮原子作為僅有的雜環(huán)原子、其中至少1個(gè)環(huán)是含有1個(gè)氮原子的六元環(huán)的雜環(huán)化合物,C07D 451/00至C07D 463/00不包括的
C07D471-02 .在稠環(huán)系中含兩個(gè)雜環(huán)
C07D471-12 .在稠環(huán)系中含3個(gè)雜環(huán)
C07D471-22 .在稠環(huán)系中含有4個(gè)或更多個(gè)雜環(huán)
C07D471-14 ..鄰位稠合系
C07D471-16 ..迫位稠合系
- 一種數(shù)據(jù)庫(kù)讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





