[發明專利]用于微反應器的絕熱的方法及設備

有效

• 申請號: 201210356871.8
• 申請日: 2012-09-21
• 公開（公告）號: CN103007856B
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發明（設計）人: B·瓊斯;P·費奧里尼;田中浩之
• 申請（專利權）人: IMEC公司;魯汶天主教大學;松下電器產業株式會社
• 主分類號: B01J19/00
• 分類號: B01J19/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 管琦琦

1.一種微流控設備(104)，所述設備包括：

半導體襯底(900)；

在所述半導體襯底(900)中的至少一個微反應器(105)；

在所述半導體襯底(900)中連接至所述至少一個微反應器(105)的一個或多個非貫通微流控通道(101)；

結合至所述半導體襯底(900)以便密封所述一個或多個微流控通道(101)的覆蓋層(106)；以及

圍繞所述至少一個微反應器(105)和所述一個或多個微流控通道(101)的至少一個貫通襯底的溝(100)，所述圍繞使得所述至少一個微反應器(105)和所述一個或多個微流控通道(101)彼此之間并且與所述微流控設備(104)的其它部分之間被所述至少一個貫通襯底的溝(100)分隔開，其中所述一個或多個微流控通道(101)部分地、完全地或者多次地圍著所述微反應器(105)纏繞。

2.根據權利要求1所述的微流控設備(104)，進一步包括用于加熱或冷卻所述微反應器的裝置。

3.根據前述任意權利要求所述的微流控設備(104)，其中所述貫通襯底的溝(100)是氣隙。

4.根據權利要求1至2中任意一項權利要求所述的微流控設備(104)，其中所述貫通襯底的溝(100)是用絕熱材料填充的。

5.根據權利要求1至2中任意一項權利要求所述的微流控設備(104)，其中所述覆蓋層(106)被陽極結合至所述半導體襯底(900)。

6.根據權利要求1至2中任意一項權利要求所述的微流控設備(104)，進一步包括用以控制所述至少一個微反應器(105)的溫度的溫度控制系統。

7.一種微流控系統，包括根據權利要求1至6中任意一項權利要求所述的微流控設備(104)的陣列。

8.根據權利要求7所述的微流控系統，進一步包括一個或多個閥門(305)、泵(306)和/或檢測器(301)。

9.一種用于制造微流控設備(104)的方法，所述方法包括：

提供具有前側和后側的半導體襯底(900)；

在所述半導體襯底(900)中提供至少一個微反應器(105)；

在所述半導體襯底(900)的前側提供連接至所述至少一個微反應器(105)的一個或多個非貫通微流控通道(101)；

通過使覆蓋層(903)結合到所述半導體襯底(900)的前側來密封所述微流控通道(101)；以及

隨后，從所述半導體后側提供至少部分蝕刻，用以形成圍繞所述至少一個微反應器(105)和所述一個或多個微流控通道(101)的至少一個貫通襯底的溝(100)，所述圍繞使得所述至少一個微反應器(105)和所述一個或多個微流控通道(101)彼此之間并且與所述微流控設備(104)的其它部分之間被所述至少一個貫通襯底的溝(100)分隔開，

其中提供微流控通道(101)的步驟包括提供部分地、完全地或者多次地圍著所述微反應器(105)纏繞的微流控通道(101)。

10.根據權利要求9所述的方法，其中從半導體后側提供至少部分蝕刻用以形成至少一個貫通襯底的溝(100)的步驟包括從襯底(900)的后側完整地形成溝(100)。

11.根據權利要求9所述的方法，其中從半導體后側提供至少部分蝕刻用以形成至少一個貫通襯底的溝(100)的步驟包括從襯底(900)的前側部分地形成溝(100)且從襯底(900)的后側部分地形成溝(100)。

12.根據權利要求9至11中任意一項權利要求所述的方法，進一步包括提供用于加熱或冷卻所述微反應器(105)的裝置。

13.根據權利要求9至11中任意一項權利要求所述的方法，其中從半導體后側提供貫通襯底的溝(100)的步驟包括：

研磨半導體襯底(900)并進行后側光刻，以及

圖案化并蝕刻所述貫通襯底的溝(100)。