[發明專利]觸控電極裝置及其形成方法無效
| 申請號: | 201210356457.7 | 申請日: | 2012-09-21 |
| 公開(公告)號: | CN103631428A | 公開(公告)日: | 2014-03-12 |
| 發明(設計)人: | 馬冠炎 | 申請(專利權)人: | 恒顥科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/041 | 分類號: | G06F3/041 |
| 代理公司: | 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019 | 代理人: | 壽寧;張華輝 |
| 地址: | 中國臺灣*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電極 裝置 及其 形成 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種觸控電極裝置,特別是關于一種無痕化的觸控電極裝置。
背景技術
觸控顯示器結合感測技術及顯示技術所形成的一種輸入/輸出裝置,普遍使用于電子裝置中,例如可攜式及手持式電子裝置。
電容式觸控面板為一種常用的觸控面板,其利用電容耦合效應以偵測觸碰位置。當手指觸碰電容式觸控面板的表面時,相應位置的電容量會受到改變,因而得以偵測到觸碰位置。
圖1顯示傳統觸控面板的俯視圖。其中,垂直電極列11與水平電極列12形成于玻璃板的同一面,借由絕緣橋接元件13互相電性絕緣。圖1所示傳統觸控面板的垂直電極列11與水平電極列12必須以個別步驟來形成,且垂直電極列11與水平電極列12彼此間必須留有間隙(gap),才不會造成垂直電極列11與水平電極列12之間的短路。當使用者由上俯視觸控面板時,會產生視覺上的痕跡(trace)現象。
鑒于傳統觸控面板須使用復雜的制造工藝且具有視覺的痕跡,因此亟需提出一種新穎的觸控電極裝置及其形成方法,用以改善傳統觸控面板的缺點。
發明內容
本發明的目的在于,提出一種觸控電極裝置及其形成方法,其可使用單一步驟而全面形成觸控電極,且由上俯視觸控電極裝置時,電極之間不會具有間隙,因而使得觸控電極裝置呈現視覺無痕化。
本發明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的。依據本發明提出觸控電極裝置,其包含:基板;多個絕緣底座,設于該基板上,每一個該絕緣底座具有底切剖面,使得該絕緣底座的頂部面積大于底部面積;多條第一電極列,分別設于上述絕緣底座上;及多條第二電極列,設于該基板上。
本發明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。
前述的觸控電極裝置,其中該第一電極列及該第二電極列包含氧化銦錫(ITO)。
前述的觸控電極裝置,其中每一條該第一電極列呈第一方向排列且包含多個實體串接的第一電極;且每一條該第二電極列呈第二方向排列且包含多個第二電極。
前述的觸控電極裝置,其還包含多個導電件設于該基板與該第二電極列之間,用以電性串接每一條該第二電極列的上述第二電極。
前述的觸控電極裝置,其還包含多個導電件設于該第二電極列上,用以電性串接每一條該第二電極列的上述第二電極,并借由相應絕緣橋接元件與該第一電極列電性絕緣。
前述的觸控電極裝置,其中沿該第二方向相鄰的上述第一電極的間距,以及沿該第一方向相鄰的上述第二電極的間距為20~50微米。
前述的觸控電極裝置,其中該絕緣層包含光刻膠材料。
前述的觸控電極裝置,其中該絕緣底座的光折射率相同于該第一電極的光折射率。
前述的觸控電極裝置,其中該絕緣底座的底切角度大于95°。
前述的觸控電極裝置,其中該絕緣底座的頂部高于該第二電極的上表面至少20微米。
本發明的目的及解決其技術問題另外還采用以下技術方案來實現。依據本發明提出的形成觸控電極裝置的方法,該觸控電極裝置包含多條第一電極列及多條第二電極列,該方法包含以下步驟:形成絕緣層于基板上;圖案化(patterning)該絕緣層以形成多個絕緣底座,上述絕緣底座具有上述第一電極列的圖案,每一個該絕緣底座具有底切剖面,使得該絕緣底座的頂部面積大于底部面積;及形成電極層于該基板及上述絕緣底座上,因而分別形成上述第一電極列于上述絕緣底座上,且形成上述第二電極列于該基板上。
本發明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。
前述形成觸控電極裝置的方法,其中該第一電極列及該第二電極列包含氧化銦錫(ITO)。
前述形成觸控電極裝置的方法,其中每一條該第一電極列呈第一方向排列且包含多個實體串接的第一電極;且每一條該第二電極列呈第二方向排列且包含多個第二電極。
前述形成觸控電極裝置的方法,其中于形成該絕緣層之前,還包含形成多個導電件于該基板上,用以電性串接每一條該第二電極列的上述第二電極。
前述形成觸控電極裝置的方法,其中于形成該電極層之后,還包含依序形成多個絕緣橋接元件及多個導電件,其中上述導電件形成于該第二電極列上,用以電性串接每一條該第二電極列的上述第二電極,并借由相應上述絕緣橋接元件與該第一電極列電性絕緣。
前述形成觸控電極裝置的方法,其中于形成該電極層之后,還包含沿該第二方向相鄰的上述第一電極之間,以及沿該第一方向相鄰的上述第二電極之間,使用激光形成20~50微米的間距。
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