[發明專利]過壓保護電路

無效

• 申請號: 201210355938.6
• 申請日: 2012-09-24
• 公開（公告）號: CN103683251A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 周曉東;桑園;余力
• 申請（專利權）人: 鄭州單點科技軟件有限公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種過壓保護電路。

背景技術

便攜式電子產品所需要的電壓一般比較低，一般情況下為1.5V、2.5V、3.3V或5V電壓。在電路中，由于電路信號受到干擾、短路或供電電壓不穩定等因素，可能會造成電壓突然升高的情況，過高的電壓會影響電路的性能，還有燒壞電路的風險。

過壓保護電路是解決過壓的問題的必要電路，現有技術的電路的結構比較復雜，所需器件和節點較多，器件多造成成本和功耗較高，節點較多造成壞點的風險大。

發明內容

本發明的發明目的在于：針對上述存在的問題，提供一種結構簡單、節點少的過壓保護電路。

本發明采用的技術方案是這樣的：一種過壓保護電路，包括電壓輸入端和電壓輸出端，在電壓輸入端和電壓輸出端之間串接一第一電阻，還包括與所述第一電阻并聯一調壓電路，所述調壓電路包括第一NPN雙極型三極管、第二NPN雙極型晶體管、第一PNP雙極型晶體管、第二PNP雙極型晶體管、第二電阻、第三電阻、第一雪崩二極管或第一齊納二極管、第二雪崩二極管或第二齊納二極管。

所述第二電阻串接于第一NPN雙極型晶體管的源極和基極之間；所述第三電阻串接于第一PNP雙極型晶體管的源極和基極之間；所述電壓輸入端連接至第一NPN雙極型晶體管的基極、第二PNP雙極型晶體管的集電極、第一雪崩二極管或第一齊納二極管的正極端、第二PNP雙極型晶體管的基極和第二NPN雙極型晶體管的集電極；所述第一雪崩二極管或第一齊納二極管的負極端連接至第一NPN雙極型晶體管的集電極和第二PNP雙極型晶體管的基極；所述電壓輸出端連接至第一NPN雙極型晶體管的源電極和第一PNP雙極型晶體管的源極；第二雪崩二極管或第二齊納二極管的正極端連接至第二PNN雙極型晶體管的基極和第一PNP雙極型晶體管的集電極，負極端連接至第一PNP雙極型晶體管的基極和第二NPN雙極型晶體管的集電極；所述第二NPN雙極型晶體管的源極和第二PNP雙極型晶體管的源極均接地。

綜上所述，由于采用了上述技術方案，本發明的有益效果是：電路結構簡單，所需器件和節點較少，減小成本和功耗，以及減少壞點風險。

附圖說明

圖1是本發明過壓保護電路的電路原理圖。

具體實施方式

下面結合附圖，對本發明作詳細的說明。

為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。

如圖1所示，是本發明過壓保護電路的電路原理圖。

本發明的一種過壓保護電路，包括電壓輸入端VIN和電壓輸出端VOUT，在電壓輸入端VIN和電壓輸出端VOUT之間串接一第一電阻R1，還包括與所述第一電阻R1并聯一調壓電路，所述調壓電路包括第一NPN雙極型三極管N1、第二NPN雙極型晶體管N2、第一PNP雙極型晶體管P1、第二PNP雙極型晶體管P2、第二電阻R2、第三電阻R3、第一雪崩二極管或第一齊納二極管D1、第二雪崩二極管或第二齊納二極管D2。

下面結合附圖1對本發明上述電子元器件間的連接關系做詳細的說明：所述第二電阻R2串接于第一NPN雙極型晶體管N1的源極和基極之間；所述第三電阻R3串接于第一PNP雙極型晶體管P1的源極和基極之間；所述電壓輸入端VIN連接至第一NPN雙極型晶體管N1的基極、第二PNP雙極型晶體管P2的集電極、第一雪崩二極管或第一齊納二極管D1的正極端、第二PNP雙極型晶體管P2的基極和第二NPN雙極型晶體管N2的集電極；所述第一雪崩二極管或第一齊納二極管D1的負極端連接至第一NPN雙極型晶體管N1的集電極和第二PNP雙極型晶體管P2的基極；所述電壓輸出端VOUT連接至第一NPN雙極型晶體管N1的源電極和第一PNP雙極型晶體管P1的源極；第二雪崩二極管或第二齊納二極管D2的正極端連接至第二PNN雙極型晶體管P2的基極和第一PNP雙極型晶體管P1的集電極，負極端連接至第一PNP雙極型晶體管P1的基極和第二NPN雙極型晶體管N2的集電極；所述第二NPN雙極型晶體管N2的源極和第二PNP雙極型晶體管P2的源極均接地。

以上所述僅為本發明的較佳實施例而已，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。