[發(fā)明專利]部分三模冗余SRAM型FPGA的單粒子翻轉(zhuǎn)特性的測試方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210355797.8 | 申請日: | 2012-09-21 |
| 公開(公告)號: | CN102901924A | 公開(公告)日: | 2013-01-30 |
| 發(fā)明(設計)人: | 于慶奎;羅磊;張大宇;劉迎輝;唐民;祝名 | 申請(專利權(quán))人: | 中國空間技術研究院 |
| 主分類號: | G01R31/317 | 分類號: | G01R31/317 |
| 代理公司: | 北京泛華偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇;王博 |
| 地址: | 100101*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 部分 冗余 sram fpga 粒子 翻轉(zhuǎn) 特性 測試 方法 | ||
1.一種部分三模冗余SRAM型FPGA的單粒子翻轉(zhuǎn)特性的測試方法,包括:
1)用LET值大于翻轉(zhuǎn)閾值的高能粒子,在設定的注量率下輻照被測器件,當器件輸出特性不正確且在停止粒子束輻照的時間T1內(nèi)器件功能未恢復正常時,則記錄1次單粒子錯誤,重新配置FPGA器件功能,并多次重復輻照被測器件以得到累計的單粒子錯誤,并計算單粒子錯誤截面;
2)使粒子的LET值不變而注量率降低,并重復上述步驟1),得到另一單粒子錯誤截面,若該單粒子錯誤截面與前一次單粒子錯誤截面的差異小于一預定值,則取該次單粒子錯誤截面為被測器件的最終單粒子錯誤截面值,若該單粒子錯誤截面與前一次單粒子錯誤截面之差大于一預定值,則繼續(xù)重復該步驟2);
3)提供另一與被測器件相同的不進行三模冗余加固的對比器件,用與步驟1)中的LET值相同的高能粒子,在對比注量率下,輻照對比器件,當器件輸出特性不正確且在停止粒子束輻照的時間T1內(nèi)器件功能未恢復正常,則記錄1次單粒子錯誤,并多次重復輻照對比器件以得到多次單粒子錯誤,并計算單粒子錯誤截面;
4)計算未三模冗余加固的對比器件的單粒子錯誤截面與步驟2)得到的被測器件的最終單粒子錯誤截面的比值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,根據(jù)步驟4)得到的比值判斷加固效果,比值越大,則說明三模冗余加固效果大,比值越小,說明三模冗余加固效果越小。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中上述步驟1)和步驟3)中,停止輻照的時間T1為20至50秒。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中上述步驟1)中,多次重復輻照被測器件,直到累積出現(xiàn)預定次數(shù)的單粒子錯誤時停止輻照。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中上述步驟1)中,多次重復輻照被測器件,直到輻照累積注量達到預定量時停止輻照·。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中上述步驟3),多次重復輻照對比器件,直到累積出現(xiàn)預定次數(shù)的單粒子錯誤時停止輻照。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中上述步驟3)中,多次重復輻照對比器件,直到輻照累積注量達到預定量時停止輻照。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中上述步驟3中),所述對比注量率比步驟1)中所述的最終單粒子錯誤截面值所對應的注量率大兩個數(shù)量級。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中步驟2)中所述的預定值在0-10%之間。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國空間技術研究院,未經(jīng)中國空間技術研究院許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210355797.8/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





