[發明專利]一種多晶硅片制絨液及制絨方法

無效

• 申請號: 201210355019.9
• 申請日: 2012-09-17
• 公開（公告）號: CN103668466A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 劉桂林;吳文娟;朱海東
• 申請（專利權）人: 無錫尚德太陽能電力有限公司
• 主分類號: C30B33/10
• 分類號: C30B33/10;C23F1/24
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種多晶硅片制絨液，其特征在于，該多晶硅片制絨液包括氧化劑、氫氟酸和表面活性劑。

2.根據權利要求1所述的多晶硅片制絨液，其特征在于，所述多晶硅片制絨液中的所述氧化劑為硝酸，所述硝酸、氫氟酸和水的質量配比范圍為45～55∶10～15∶30～40。

3.根據權利要求1所述的多晶硅片制絨液，其特征在于，所述表面活性劑為乳酸、乳酸鈉、乳酸鉀、烷基酚型表面活性劑、抗壞血酸、抗壞血酸鈉或抗壞血酸鉀中一種或幾種，所述表面活性劑的量相當于多晶硅片制絨液質量或體積的0.05％～0.5％。

4.一種多晶硅片制絨方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：a、提供一具制絨槽的制絨設備，所述制絨槽中的多晶硅片制絨液包括氧化劑、氫氟酸和表面活性劑；b、提供待制絨硅片且在所述硅片表面涂覆金屬催化劑；c、將所述硅片傳送至制絨槽進行10～40s的腐蝕制絨。

5.根據權利要求4所述的多晶硅片制絨方法，其特征在于，所述制絨設備還包括清洗槽，該多晶硅片制絨方法還包括步驟d：將所述硅片傳送至清洗槽中進行清洗。

6.根據權利要求5所述的多晶硅片制絨方法，其特征在于，所述清洗槽的數量為一個，所述清洗槽中的清洗液為去離子水；所述清洗槽的數量或為多個，所述清洗槽中的清洗液為去離子水或氫氟酸與鹽酸的混合溶液。

7.根據權利要求4所述的多晶硅片制絨方法，其特征在于，在步驟b中，通過噴涂粉末或涂敷金屬漿的方式將所述金屬催化劑涂覆在所述硅片表面，涂敷厚度范圍為10～100μm。

8.根據權利要求4所述的多晶硅片制絨方法，其特征在于，在步驟b中，所述金屬催化劑為鋅、鋁、鎳中的一種或幾種合金，所述金屬催化劑的粒度范圍為1～100μm。

9.根據權利要求8所述的多晶硅片制絨方法，其特征在于，在步驟b中，所述金屬催化劑為鋅粉，所述鋅粉的粒度范圍為10～20μm。

10.根據權利要求4所述的多晶硅片制絨方法，其特征在于，在步驟a中，所述多晶硅片制絨液中的所述氧化劑為硝酸，所述硝酸、氫氟酸和水的質量配比范圍為45～55∶10～15∶30～40，所述制絨溫度為0～20℃，制絨時間10～40s，腐蝕厚度為10～20μm。

11.根據權利要求4所述的多晶硅片制絨方法，其特征在于，在步驟a中，所述表面活性劑為乳酸、乳酸鈉、乳酸鉀、烷基酚型表面活性劑、抗壞血酸、抗壞血酸鈉或抗壞血酸鉀中一種或幾種，所述表面活性劑的量相當于多晶硅片制絨液質量或體積的0.05％～0.5％。