[發(fā)明專利]兩步法低能耗制備高絕緣性陽極氧化鋁薄膜的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210353860.4 | 申請日： | 2012-09-21 |
| 公開（公告）號： | CN102864479A | 公開（公告）日： | 2013-01-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王文峰;王存彬;廖文翔;張軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 湖北大學(xué) |
| 主分類號： | C25D11/12 | 分類號： | C25D11/12 |
| 代理公司： | 武漢金堂專利事務(wù)所 42212 | 代理人： | 丁齊旭 |
| 地址： | 430062 湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 步法 能耗 制備 絕緣性 陽極 氧化鋁 薄膜 方法 | ||
1.?一種利用陽極氧化低能耗制備高絕緣性氧化鋁薄膜的方法，其特征在于：金屬鋁經(jīng)過前處理后，對其進(jìn)行陽極氧化是分作兩步完成的；
第一步陽極氧化采用的氧化電壓在10V-60V之間，氧化溫度在10-60℃之間，電流密度在5-10A/dm2之間；當(dāng)生成的陽極氧化薄膜接近預(yù)先設(shè)定的薄膜厚度時第一步陽極氧化結(jié)束；
第二步陽極氧化采用的氧化電壓在100V-300V之間，氧化溫度在-20-0℃之間，電流密度在0.1-1A/dm2之間；當(dāng)?shù)谝徊疥枠O氧化所生成阻擋層完全變成多孔層后第二步陽極氧化結(jié)束。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用陽極氧化低能耗制備高絕緣性氧化鋁薄膜的方法，其特征在于，所述技術(shù)方案中第一步陽極氧化結(jié)束的時間通過預(yù)先實(shí)驗(yàn)，得出陽極氧化時間與所得陽極氧化薄膜厚度的關(guān)系，之后，在相同陽極氧化條件下，通過控制陽極氧化的時間控制陽極氧化薄膜的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用陽極氧化低能耗制備高絕緣性氧化鋁薄膜的方法，其特征在于，所述技術(shù)方案中第二步陽極氧化結(jié)束的時間通過預(yù)先實(shí)驗(yàn)，測量第二步陽極氧化時間與所得薄膜耐壓值之間的關(guān)系曲線，該變化曲線的拐點(diǎn)對應(yīng)的時間即為第一步陽極氧化所生成阻擋層完全變成多孔層的時間，之后，在相同陽極氧化條件下，通過利用拐點(diǎn)對應(yīng)的時間即可控制第二步陽極氧化結(jié)束時間。
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