[發(fā)明專利]腔壁溫度可由生長程序?qū)崟r設(shè)置的氣相外延反應(yīng)管無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210353647.3 | 申請日: | 2012-09-21 |
| 公開(公告)號: | CN103668115A | 公開(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 江風(fēng)益;劉軍林;方文卿;蒲勇;徐龍權(quán) | 申請(專利權(quán))人: | 南昌黃綠照明有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C30B25/14 |
| 代理公司: | 江西省專利事務(wù)所 36100 | 代理人: | 張文 |
| 地址: | 330047 江西*** | 國省代碼: | 江西;36 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 溫度 生長 程序 實時 設(shè)置 外延 反應(yīng) | ||
1.一種腔壁溫度可由生長程序?qū)崟r設(shè)置的氣相外延反應(yīng)管,包括反應(yīng)室和控制系統(tǒng),在反應(yīng)室內(nèi)安裝有MOCVD加熱器,在MOCVD加熱器的上面依次從下至上安裝有石墨襯底基座和外延襯底,MOCVD加熱器對石墨基座進(jìn)行加熱控溫,石墨基座對外延襯底進(jìn)行加熱,在反應(yīng)室內(nèi)、外延襯底的上方安裝有正對外延襯底且與外延襯底間隔放置的MOCVD噴頭,在反應(yīng)室的頂板中間設(shè)有一個進(jìn)氣孔,在反應(yīng)室的底板兩邊各設(shè)有一個排氣孔,特征是:在反應(yīng)室內(nèi)壁的頂部、四周側(cè)壁上設(shè)有封閉的循環(huán)介質(zhì)通道,在反應(yīng)室的左側(cè)壁和右側(cè)壁上分別設(shè)有反應(yīng)室循環(huán)介質(zhì)入口和反應(yīng)室循環(huán)介質(zhì)出口,反應(yīng)室循環(huán)介質(zhì)入口將循環(huán)介質(zhì)通道和恒溫機(jī)的恒溫機(jī)循環(huán)介質(zhì)出口連接在一起,反應(yīng)室循環(huán)介質(zhì)出口將循環(huán)介質(zhì)通道和恒溫機(jī)的恒溫機(jī)循環(huán)介質(zhì)入口連接在一起,使得循環(huán)介質(zhì)在反應(yīng)室的循環(huán)介質(zhì)通道和恒溫機(jī)之間循環(huán)流通;反應(yīng)室和恒溫機(jī)受控制系統(tǒng)控制。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腔壁溫度可由生長程序?qū)崟r設(shè)置的氣相外延反應(yīng)管,其特征在于:循環(huán)介質(zhì)為導(dǎo)熱油、水或鈉液體中的一種,循環(huán)介質(zhì)的溫度在20-600℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的腔壁溫度可由生長程序?qū)崟r設(shè)置的氣相外延反應(yīng)管,其特征在于:導(dǎo)熱油的溫度為20-350℃,液態(tài)鈉的溫度為100--600℃。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的





