[發明專利]發光器件

無效

• 申請號: 201210353540.9
• 申請日: 2012-09-20
• 公開（公告）號: CN103117511A
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發明（設計）人: 幸田倫太郎;渡邊秀輝;倉本大;河野俊介;宮嶋孝夫
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01S5/20
• 分類號: H01S5/20
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 李靜;宮傳芝

1.一種發光器件，包括：

層結構，通過在底部襯底上順序地生長第一導電類型的第一化合物半導體層、由化合物半導體形成的活性層、以及與所述第一導電類型不同的第二導電類型的第二化合物半導體層來獲得；

第二電極，形成于所述第二化合物半導體層上；以及

第一電極，電連接于所述第一化合物半導體層，

其中，所述層結構具有由所述第二化合物半導體層的在所述第二化合物半導體層的厚度方向上的至少一部分形成的構造，

所述第一化合物半導體層具有大于0.6μm的厚度，并且

所述第一化合物半導體層中形成有高折射率層，所述高折射率層由具有比所述第一化合物半導體層的化合物半導體材料的折射率高的折射率的化合物半導體材料形成。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述層結構具有脊狀條構造。

3.根據權利要求1所述的發光器件，

其中，所述第一化合物半導體層具有通過從所述底部襯底的一側順序地生長第一覆層和第一光引導層來獲得的層結構，

所述第一光引導層具有大于0.6μm的厚度，并且

所述高折射率層形成于所述第一光引導層中。

4.根據權利要求3所述的發光器件，其中，從所述活性層與所述第一光引導層之間的界面到第一光引導層的靠近所述活性層的部分與所述高折射率層之間的界面的距離是0.25μm或更大。

5.根據權利要求3所述的發光器件，其中，假設所述第一光引導層的化合物半導體材料的折射率是n_G-1且所述高折射率層的化合物半導體材料的折射率是n_HR，則滿足0＜n_HR-n_G-1≤0.3。

6.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述發光器件輸出單模光束。

7.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述發光器件由半導體激光器件構成。

8.根據權利要求1所述的發光器件，所述發光器件由半導體光學放大器構成。

9.根據權利要求3所述的發光器件，

其中，所述第二化合物半導體層具有通過從所述底部襯底的所述一側順序地生長第二光引導層和第二覆層來獲得的層結構，并且所述第一光引導層比所述第二光引導層厚。

10.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述第一化合物半導體層、所述活性層和所述第二化合物半導體層由基于GaN的化合物半導體形成。

11.根據權利要求1所述的發光器件，

其中，所述第一化合物半導體層具有通過從所述底部襯底的一側順序地生長第一覆層和第一光引導層來獲得的層結構，并且

所述高折射率層形成于所述第一覆層中。

12.根據權利要求3所述的發光器件，其中，假設所述第一光引導層的化合物半導體材料的折射率是n_G-1且所述高折射率層的化合物半導體材料的折射率是n_HR，則滿足0.02＜n_HR-n_G-1≤0.2。

13.根據權利要求5或12所述的發光器件，其中，假設n_Ac是所述活性層的化合物半導體材料的平均折射率，則滿足n_HR≤n_Ac。

14.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述第一化合物半導體層的厚度小于10μm。