[發(fā)明專利]光纖初級(jí)預(yù)制件、光纖最終預(yù)制件和光纖及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210353491.9 | 申請(qǐng)日： | 2012-09-20 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103011576A | 公開（公告）日： | 2013-04-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | I·米莉瑟維克;J·A·哈特蘇克;M·J·N·范·斯特勞倫 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 德拉克通信科技公司 |
| 主分類號(hào)： | C03B37/018 | 分類號(hào)： | C03B37/018;C03B37/02 |
| 代理公司： | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇 |
| 地址： | 荷蘭阿*** | 國(guó)省代碼： | 荷蘭;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光纖 初級(jí) 預(yù)制件 最終 及其 制造 方法 | ||
1.一種使用等離子體化學(xué)內(nèi)部氣相沉積工藝來(lái)制造光纖初級(jí)預(yù)制件的方法，其中，
向中空玻璃基管的內(nèi)部供給摻雜或未摻雜的玻璃形成前體，使等離子體形式的反應(yīng)區(qū)沿著所述中空玻璃基管的長(zhǎng)度在中空玻璃基管的位于供給側(cè)附近的換向點(diǎn)和位于排出側(cè)附近的換向點(diǎn)之間往返移動(dòng)，
中空玻璃基管配置在加熱爐內(nèi)，并且
在所述反應(yīng)區(qū)內(nèi)創(chuàng)建條件，以使得在所述中空玻璃基管的內(nèi)部沉積由至少兩個(gè)單獨(dú)的玻璃層構(gòu)成的一個(gè)或多個(gè)玻璃層封裝體，
該方法的特征在于，包括以下步驟：
針對(duì)至少一個(gè)玻璃層的沉積，根據(jù)反應(yīng)區(qū)在中空玻璃基管的縱向上的位置來(lái)定義沉積條件，并且在沉積所述玻璃層期間，如此定義的多個(gè)沉積條件彼此不同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，玻璃層封裝體內(nèi)的彼此相鄰的玻璃層的沉積條件彼此不同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，在特定玻璃層封裝體內(nèi)，通過(guò)沉積所獲得的一個(gè)玻璃層的折射率值和/或截面面積不同于通過(guò)沉積所獲得的另一玻璃層的折射率值和/或截面面積。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的方法，其中，由通過(guò)沉積所獲得的多個(gè)單獨(dú)的玻璃層構(gòu)成的特定玻璃層封裝體的平均折射率值和/或截面面積能夠被視為各個(gè)單獨(dú)的玻璃層的折射率值和/或截面面積的組合，并且所述玻璃層封裝體內(nèi)的至少兩個(gè)這種單獨(dú)的玻璃層的折射率值和/或截面面積彼此不同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的方法，其中，各玻璃層封裝體內(nèi)的各個(gè)玻璃層的徑向上厚度為0.1微米~10微米，優(yōu)選為0.5微米~5微米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的方法，其中，玻璃層封裝體內(nèi)的玻璃層的數(shù)量為2~100，優(yōu)選為2~50，更優(yōu)選為4~30。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的方法，其中，玻璃層封裝體內(nèi)的玻璃層的數(shù)量被設(shè)置成滿足以下條件：
其中，
N=玻璃層封裝體內(nèi)的玻璃層的數(shù)量[-]
λ=光纖所使用的最小波長(zhǎng)[μm]
d=初級(jí)預(yù)制件的玻璃層封裝體內(nèi)的玻璃層的厚度[μm]
Qfinal=基于初級(jí)預(yù)制件所制造的最終預(yù)制件的直徑[mm]
Qfibre=光纖的直徑[mm]。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的方法，其中，定義沉積條件包括設(shè)置從以下的組中選擇出的一個(gè)或多個(gè)工藝參數(shù)，該組包括在供給側(cè)計(jì)量的附加氣體流量、反應(yīng)區(qū)的速度、反應(yīng)區(qū)的等離子體的強(qiáng)度以及反應(yīng)區(qū)的長(zhǎng)度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，沉積長(zhǎng)度、即基管的在反應(yīng)區(qū)于兩個(gè)換向點(diǎn)之間移動(dòng)沿線的長(zhǎng)度被細(xì)分成單獨(dú)的沉積區(qū)域，針對(duì)各沉積區(qū)域確定各自的沉積條件。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，在沉積工藝期間能夠調(diào)整針對(duì)沉積區(qū)域所確定的沉積條件。
11.根據(jù)權(quán)利要求8至10中任一項(xiàng)所述的方法，其中，在中空玻璃基管的供給側(cè)采用以脈沖高度和脈沖寬度為特征的一個(gè)或多個(gè)脈沖的形式供給附加氣體量。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，脈沖寬度為1ms~500ms，優(yōu)選為1ms~200ms，更優(yōu)選為5ms~100ms。
13.根據(jù)權(quán)利要求8至12中任一項(xiàng)所述的方法，其中，附加氣體是從如下的組中選擇出的，該組包括：包含使折射率增大和/或使折射率減小的一種或多種摻雜物的氣體，諸如氧、氬和氦等的氣體，或者這些氣體中的兩種或更多種氣體的組合。
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