[發(fā)明專利]一種GaN基發(fā)光二極管及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210353406.9
• 申請日: 2012-09-20
• 公開（公告）號: CN102856450A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 虞浩輝;周宇杭
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇威納德照明科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L21/322
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 黃明哲

1.一種GaN基發(fā)光二極管，包括依次層疊的襯底、n型接觸層、有源層和p型接觸層；其特征在于，

襯底為藍寶石襯底，n型接觸層為n型AlGaN層，p型接觸層為p型GaN層；有源層為AlGaN多量子阱。

2.如權(quán)利要求1所述的GaN基發(fā)光二極管，其特征在于，所述有源層為3-6個周期的Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yN多量子阱，其中x＝0-0.5，y＝0.2-0.7。

3.如權(quán)利要求1或2所述的GaN基發(fā)光二極管，其特征在于，

所述有源層的厚度優(yōu)選為6-9nm。

4.如權(quán)利要求1－3之一所述的GaN基發(fā)光二極管，其特征在于，在所述藍寶石襯底和n型接觸層之間具有AlN模板層、低溫GaN插入層和AlGaN過渡層。

5.如權(quán)利要求1－4之一所述的GaN基發(fā)光二極管，其特征在于，在所述有源層和所述p型接觸層之間還包括p型電子阻擋層和p型過渡層。

6.如權(quán)利要求5所述的GaN基發(fā)光二極管，其特征在于，所述p型電子阻擋層8為p型AlGaN層，所述p型過渡層9為p型AlGaN過渡層。

7.一種GaN基發(fā)光二極管的制造方法，包括如下步驟：

準備并處理藍寶石襯底，以及在藍寶石襯底上依次沉積AlN模板層、低溫GaN插入層和AlGaN過渡層、n型接觸層、有源層、p型電子阻擋層、p型過渡層和p型接觸層；其特征在于，

所述處理藍寶石襯底的方法包括如下步驟：

（1）在常溫常壓下，將藍寶石晶片放入高溫高壓裝置中，在高溫高壓裝置中加入傳壓介質(zhì)，該傳壓介質(zhì)為NaCL和液氮；

（2）對藍寶石晶片加熱的同時加壓，加熱至溫度為950～1020℃，加壓至壓力為4.5~4.9GPa，保持10～15分鐘；

（3）停止加熱，使藍寶石晶片冷卻至常溫；同時緩慢卸壓，使藍寶石晶片恢復(fù)至常壓；

（4）在高溫高壓裝置中退火20～30分鐘后，取出藍寶石晶片。

8.如權(quán)利要求7所述的GaN基發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，步驟（2）中加熱的加熱速率為100℃/分鐘，加壓的加壓速率為0.2～0.3GPa/分鐘。

9.如權(quán)利要求7或8所述的GaN基發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述緩慢卸壓的卸壓速度為0.5～0.8GPa/分鐘。