[發明專利]一種監控弱點形成原因的方法

有效

• 申請號: 201210353296.6
• 申請日: 2012-09-20
• 公開（公告）號: CN103676490A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 曹清晨
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F1/36;H01L21/66
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;付偉佳

1.一種監控弱點形成原因的方法，其特征在于，包括：

步驟一：建立OPC模型和監控模型，所述OPC模型是根據多個位置處的圖案對應地在測試版圖上的初始測試版圖尺寸和經光刻工藝后在樣品晶片的樣品晶片尺寸來獲得的，所述監控模型是根據所述多個位置處的圖案對應地在所述測試版圖上的修正后測試版圖尺寸和所述樣品晶片尺寸來獲得的，其中，所述修正后測試版圖尺寸是根據所述多個位置處的圖案對應地在測試掩膜版上的測試掩膜版尺寸來修正的；以及

步驟二：利用所述OPC模型和所述監控模型來確定晶片上的弱點的形成原因。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟一包括：

提供測試版圖；

對所述測試版圖進行第一光學臨近修正，并將第一光學臨近修正后的圖案轉移到測試掩膜版上；

利用所述光刻工藝將所述測試掩膜版上的圖案轉移到樣品晶片上；

在所述測試版圖上選定多個位置，測量所述多個位置處的圖案在所述測試版圖上的初始測試版圖尺寸，并測量所述多個位置處的圖案對應地在所述測試掩膜版上的測試掩膜版尺寸和在所述樣品晶片上的樣品晶片尺寸；

根據所述測試掩膜版尺寸來修正所述初始測試版圖尺寸，以獲得修正后測試版圖尺寸；以及

根據所述初始測試版圖尺寸和所述樣品晶片尺寸擬合OPC模型，且根據所述修正后測試版圖尺寸和所述樣品晶片尺寸擬合監控模型，其中，在所述OPC模型中所述初始測試版圖尺寸和所述樣品晶片尺寸一致，在所述監控模型中所述初始測試版圖尺寸和所述樣品晶片尺寸一致。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，令所述初始測試版圖尺寸和所述樣品晶片尺寸一致以進行所述OPC模型的模擬，令所述修正后測試版圖尺寸和所述樣品晶片尺寸一致以進行所述監控模型的模擬，使得所述OPC模型和所述監控模型用于確定所述光刻工藝的工藝參數。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述OPC模型和所述監控模型用于確定所述光刻工藝中的光學部分和光刻膠部分的工藝參數。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟二包括：

提供版圖；

對所述版圖進行第二光學臨近修正，并將第二光學臨近修正后的圖案轉移到掩膜版上；

利用OPC模型確定的光刻工藝將所述掩膜版上的圖案轉移到晶片上；

測量所述晶片上的弱點對應地在所述掩膜版上的掩膜版尺寸；以及

判斷所述弱點的所述掩膜版尺寸是否超出尺寸預定值，如果所述弱點的所述掩膜版尺寸超出尺寸預定值，將確定所述弱點是由所述掩膜版的關鍵尺寸不符合標準所引起的。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，如果所述弱點的所述掩膜版尺寸未超出尺寸預定值，所述方法還包括：

基于所述OPC模型獲取所述弱點對應地在所述版圖上的初始版圖尺寸，并基于所述監控模型獲取根據所述掩膜版尺寸來修正所述初始版圖尺寸而得到的修正后版圖尺寸；

判斷所述修正后版圖尺寸是否等于所述弱點在所述晶片上的晶片尺寸；

如果所述修正后版圖尺寸等于所述弱點在所述晶片上的晶片尺寸，判斷所述初始版圖尺寸是否等于所述修正后版圖尺寸；

如果所述初始版圖尺寸等于所述修正后版圖尺寸，則判斷出所述OPC模型是正確的，且所述弱點是由所述第二光學臨近修正所引起的；以及

如果所述初始版圖尺寸不等于所述修正后版圖尺寸，則判斷出所述OPC模型是錯誤的，且所述弱點是由所述OPC模型所引起的。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，如果所述修正后版圖尺寸不等于所述弱點在所述晶片上的晶片尺寸，所述方法還包括：

基于所述監控模型來確定所述弱點的掩膜誤差增進因子；以及

判斷所述弱點的所述掩膜誤差增進因子是否大于因子預定值，如果所述弱點的所述掩膜誤差增進因子大于所述因子預定值，則判斷出所述弱點是由掩膜誤差增進因子偏高所引起的。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，如果所述弱點的所述掩膜誤差增進因子不大于所述因子預定值，所述方法還包括：

基于所述監控模型來確定所述光刻工藝的工藝窗口；

判斷所述工藝窗口是否在預定范圍內，如果所述工藝窗口在所述預定范圍內，則判斷出所述弱點是由有限的工藝窗口所引起的。