[發(fā)明專利]磁記錄頭和磁記錄裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210353278.8
• 申請(qǐng)日: 2012-09-19
• 公開（公告）號(hào): CN103021422A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 五十嵐萬(wàn)壽和;松原正人;長(zhǎng)坂惠一;椎本正人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社日立制作所
• 主分類號(hào): G11B5/127
• 分類號(hào): G11B5/127;G11B5/02;G11B5/31;G11B5/62
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 酆迅

1.一種磁記錄頭，包括：

主磁極；以及

布置在所述主磁極附近的自旋力矩振蕩器，其中，

所述磁記錄頭通過(guò)使用由所述主磁極產(chǎn)生的翻轉(zhuǎn)場(chǎng)和由所述自旋力矩振蕩器產(chǎn)生的高頻磁場(chǎng)翻轉(zhuǎn)磁記錄介質(zhì)的磁化來(lái)記錄信息，

所述自旋力矩振蕩器包括垂直自由層和面內(nèi)自由層，所述垂直自由層由在垂直于膜表面的方向上具有磁各向異性軸線的磁膜形成，所述垂直自由層的磁化是可旋轉(zhuǎn)的，所述面內(nèi)自由層由在膜表面上有效地具有易磁化面的磁膜形成，所述面內(nèi)自由層的磁化是可旋轉(zhuǎn)的，以及

電流在所述自旋力矩振蕩器中從面內(nèi)自由層側(cè)向垂直自由層側(cè)流動(dòng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄頭，其中所述垂直自由層具有比所述面內(nèi)自由層更薄的膜厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄頭，其中所述垂直自由層的歸因于材料的磁各向異性場(chǎng)以及在垂直于所述垂直自由層的膜表面的方向上的有效退磁場(chǎng)在相反方向上具有幾乎平衡的大小。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄頭，其中所述垂直自由層放置在所述主磁極和所述面內(nèi)自由層之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄頭，其中關(guān)于所述面內(nèi)自由層，通過(guò)從產(chǎn)生自所述面內(nèi)自由層的材料的垂直磁各向異性場(chǎng)減去有效退磁場(chǎng)而得到的值小于-200kA/m。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄頭，其中所述面內(nèi)自由層包括具有負(fù)的垂直磁各向異性的材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄頭，其中所述面內(nèi)自由層包括(Co/Fe)n多層、CoIr合金和CoFeIr合金中的一個(gè)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄頭，其具有超過(guò)2Gbit/s的信息傳遞速率。

9.一種磁記錄頭，包括：

主磁極；以及

布置在所述主磁極附近的自旋力矩振蕩器，其中，

所述磁記錄頭通過(guò)使用由所述主磁極產(chǎn)生的翻轉(zhuǎn)場(chǎng)和由所述自旋力矩振蕩器產(chǎn)生的高頻磁場(chǎng)翻轉(zhuǎn)磁記錄介質(zhì)的磁化來(lái)記錄信息，

所述自旋力矩振蕩器包括垂直自由層和面內(nèi)自由層，所述垂直自由層由在垂直于膜表面的方向上具有磁各向異性軸線的磁膜形成，所述面內(nèi)自由層由在膜表面上有效地具有易磁化面的磁膜形成，

電流在所述自旋力矩振蕩器中從面內(nèi)自由層側(cè)向垂直自由層側(cè)流動(dòng)，以及

所述面內(nèi)自由層的磁化和所述面內(nèi)自由層的磁化旋轉(zhuǎn)，同時(shí)保持彼此反平行。

10.一種磁記錄裝置，包括：

磁記錄介質(zhì)；

用于驅(qū)動(dòng)所述磁記錄介質(zhì)的介質(zhì)驅(qū)動(dòng)部分；

用于在所述磁記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄和再現(xiàn)操作的磁頭；以及

用于將所述磁頭定位在所述磁記錄介質(zhì)的期望磁道上的頭驅(qū)動(dòng)部分，其中

所述磁頭包括記錄頭和讀取器，

所述記錄頭包括主磁極和布置在所述主磁極附近的自旋力矩振蕩器，

所述記錄頭通過(guò)使用由所述主磁極產(chǎn)生的翻轉(zhuǎn)場(chǎng)和由所述自旋力矩振蕩器產(chǎn)生的高頻磁場(chǎng)翻轉(zhuǎn)所述磁記錄介質(zhì)的磁化來(lái)記錄信息，

所述自旋力矩振蕩器包括垂直自由層和面內(nèi)自由層，所述垂直自由層由具有垂直于膜表面的磁各向異性軸線的磁膜形成，所述垂直自由層的磁化是可旋轉(zhuǎn)的，所述面內(nèi)自由層由在膜表面上有效地具有易磁化面的磁膜形成，所述面內(nèi)自由層的磁化是可旋轉(zhuǎn)的，以及

電流在所述自旋力矩振蕩器中從面內(nèi)自由層側(cè)向垂直自由層側(cè)流動(dòng)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的磁記錄裝置，其中所述垂直自由層具有比所述面內(nèi)自由層更薄的膜厚度。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的磁記錄裝置，其中歸因于材料的所述垂直自由層的磁各向異性場(chǎng)與在垂直于所述垂直自由層的膜表面的方向上的有效退磁場(chǎng)在相反方向上具有幾乎平衡的大小。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的磁記錄頭，其中所述垂直自由層放置在所述主磁極和所述面內(nèi)自由層之間。