[發明專利]基板制造方法、布線基板的制造方法、玻璃基板以及布線基板

在審

• 申請號: 201210353172.8
• 申請日: 2012-09-20
• 公開（公告）號: CN103025083A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 伏江隆;菊地肇
• 申請（專利權）人: HOYA株式會社
• 主分類號: H05K3/40
• 分類號: H05K3/40;H05K3/42
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 舒艷君;李偉

技術領域

本發明涉及基板制造方法、布線基板的制造方法、玻璃基板以及布線基板。

背景技術

近年來，對安裝MEMS（Micro?Electro?Mechanical?System：微機電系統）等電子部件的布線基板要求確保較高的連接可靠性并且能夠進行電子部件等的高密度安裝。為了與此對應，本申請發明者提出關于布線基板，不使用樹脂基板，而使用平滑性、硬質性、絕緣性、耐熱性等良好的玻璃基板作為核心基板，與該玻璃基板的表面和背面連通的貫通孔的孔內填充金屬，從而能夠使形成在基板表面和背面的各電布線可靠地導通，由此，能夠與微細化、高密度化等對應的方案（例如參照專利文獻1）。

由這樣的玻璃基板構成的布線基板以下述順序制造。具體而言，例如專利文獻1中公開的那樣，進行在玻璃基板形成貫通孔的工序之后，進行通過電鍍法在貫通孔內填充金屬的工序。而且，在填充金屬的工序中，在其初始階段，利用金屬將玻璃基板的表面和背面的貫通孔的開口部的任意一方閉塞，之后，在通過閉塞而形成的孔內的底部從另一方開口部側堆積金屬而使之向該另一方開口部生長，從而在貫通孔內填充金屬。

專利文獻1：國際公開第2005／027605號

這樣，在使金屬填充到貫通孔內的情況下，包圍貫通孔的孔內的側壁與填充的金屬的氣密性（氣體阻隔性等）低。若氣密性低，則從氣密性低處產生氣（gas）等氣體通過的泄漏。例如，對在貫通孔內填充金屬的玻璃基板形成布線圖案等的情況下等，在規定的氣體環境中對玻璃基板的表面和背面層疊金屬層。然而，招來受上述的氣密性低和氣體的泄漏所帶來的影響而妨礙金屬層的層疊控制等問題。

發明內容

于是，本發明是為了解決上述的課題而提出的，提供一種能夠提高包圍貫通孔的孔內的側壁與填充到貫通孔的孔內的金屬材料的氣密性，并防止氣體的泄漏的基板制造方法、布線基板的制造方法、玻璃基板以及布線基板。

本說明書中公開的一個發明是基板的制造方法。本基板制造方法是制造與使用含有硅氧化物的玻璃形成的玻璃基板的表面和背面連通的貫通孔的孔內填充有金屬材料的基板的基板制造方法。

本基板制造方法的特征在于，具備：蝕刻工序，在填充上述金屬材料前，通過選擇性地蝕刻處于包圍上述貫通孔的孔內的側壁附近的硅氧化物而形成錨定部；填充工序，在上述蝕刻工序后，在上述貫通孔的孔內填充金屬材料。

此處所說的“硅氧化物”表示由組成式“Si_xO_y”表示的物質，例如例示二氧化硅（SiO₂）。Si_xO_y并未僅限定為二氧化硅的結晶質物質，也包括作為Si_xO_y的非晶體構造的石英玻璃。另外，以硅氧化物為主體的構造的Si位的一部分置換Al、其他的元素的情況也包括在此處所說的“硅氧化物”。

在該基板制造方法中，優選上述玻璃是結晶化玻璃。在結晶化玻璃中，在結晶質部分與非晶體部分分子構造不同。另外，結晶質成分也并不是單一的結晶體分散，也存在多個種類的結晶體分散的情況。換句話說，一般認為在結晶化玻璃中，具有不同的構造（結晶構造或者非晶體構造）的多個簇（cluster）隨機地分散。

根據本發明，能夠選擇性地蝕刻露出在貫通孔側壁的硅氧化物部分，并能夠形成復雜的錨定部。填充到孔內的金屬進入該復雜的錨定部而嚙合，所以玻璃基板與填充的金屬的氣體阻隔性提高。

在該基板制造方法中，優選在上述蝕刻工序中，使用酸性氟化銨與強酸性銨鹽的混合液作為蝕刻液。

若使用在酸性氟化銨上加入了強酸性銨鹽的蝕刻液，對硅氧化物的蝕刻選擇性提高，所以優選。

作為強酸性銨鹽，例舉硫酸銨、硝酸銨、高氯酸銨、以及，鹵化銨。其中優選硫酸銨。

此處公開的其他發明是布線基板的制造方法。具體而言，是在前述的構成的玻璃基板的至少一面形成布線的構成。

此處公開的其他發明是玻璃基板。該玻璃基板的特征在于，是與使用含有硅氧化物的玻璃形成的基板的表面和背面連通的貫通孔的孔內填充有金屬材料的玻璃基板，在包圍上述貫通孔的孔內的側壁形成有錨定部，上述填充的金屬進入該錨定部的凹凸的至少一部分。

此處公開的其他發明是布線基板。該布線基板的特征在于，在前述的構成的玻璃基板的一面側與另一面側中的至少一方形成有布線圖案。

根據本發明，能夠提高包圍貫通孔的孔內的側壁與填充到貫通孔的孔內的金屬材料的氣密性，防止氣體的泄漏。

附圖說明